| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.1.1 纳米材料简介 | 第11页 |
| 1.1.2 纳米材料的研究应用现状 | 第11-13页 |
| 1.2 ZnO纳米半导体光催化材料 | 第13-19页 |
| 1.2.1 ZnO简介 | 第13-14页 |
| 1.2.2 ZnO光催化材料的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.3 ZnO光催化材料目前存在的问题 | 第15-18页 |
| 1.2.4 ZnO光催化反应机理研究 | 第18-19页 |
| 1.3 本论文研究的目的、意义和内容 | 第19-21页 |
| 第2章 调节ZnO不同晶面的暴露比例及其光催化性能的研究 | 第21-31页 |
| 2.1 引言 | 第21-22页 |
| 2.2 实验部分 | 第22-23页 |
| 2.2.1 实验试剂及仪器 | 第22页 |
| 2.2.2 合成ZnO半导体材料 | 第22-23页 |
| 2.2.3 ZnO纳米半导体光催化性能的测试 | 第23页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第23-29页 |
| 2.3.1 结构与形貌 | 第23-25页 |
| 2.3.2 生长机理的探讨 | 第25-27页 |
| 2.3.3 荧光性能分析 | 第27页 |
| 2.3.4 光催化性能 | 第27-29页 |
| 2.4 结论 | 第29-31页 |
| 第3章 暴露{0001}晶面的ZnO纳米棒阵列的制备与光催化性能的研究 | 第31-41页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 实验部分 | 第32-33页 |
| 3.2.1 实验试剂及仪器 | 第32页 |
| 3.2.2 暴露{0001}晶面的ZnO纳米棒阵列的合成 | 第32页 |
| 3.2.3 ZnO半导体光催化性能的测试 | 第32-33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-39页 |
| 3.3.1 结构与形貌 | 第33-35页 |
| 3.3.2 生长机理的探讨 | 第35-37页 |
| 3.3.3 荧光性能分析 | 第37-38页 |
| 3.3.4 光催化性能 | 第38-39页 |
| 3.4 结论 | 第39-41页 |
| 第4章 N-ZnO半导体材料的制备及光催化性能的研究 | 第41-51页 |
| 4.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.2 实验部分 | 第42-43页 |
| 4.2.1 实验试剂及仪器 | 第42页 |
| 4.2.2 N-ZnO光催化材料的制备 | 第42-43页 |
| 4.2.3 光催化性能的测试 | 第43页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第43-50页 |
| 4.3.1 结构与形貌 | 第43-46页 |
| 4.3.2 紫外可见吸收光谱 | 第46页 |
| 4.3.3 荧光性能分析 | 第46-47页 |
| 4.3.4 光催化性能 | 第47-50页 |
| 4.4 结论 | 第50-51页 |
| 第5章 多种形貌的ZnO的制备及其性能表征 | 第51-59页 |
| 5.1 球状ZnO纳米半导体材料的制备及其性能测试 | 第51-55页 |
| 5.1.1 实验部分 | 第51-52页 |
| 5.1.1.1 实验试剂及仪器 | 第51页 |
| 5.1.1.2 球状ZnO的合成 | 第51-52页 |
| 5.1.1.3 光催化性能的测试 | 第52页 |
| 5.1.2 结果与讨论 | 第52-55页 |
| 5.1.2.1 结构与形貌 | 第52-54页 |
| 5.1.2.2 光催化结果 | 第54-55页 |
| 5.2 片状ZnO纳米半导体材料的制备及其性能测试 | 第55-58页 |
| 5.2.1 实验部分 | 第55-56页 |
| 5.2.1.1 实验试剂及仪器 | 第55页 |
| 5.2.1.2 片状ZnO的合成 | 第55-56页 |
| 5.2.1.3 光催化性能的测试 | 第56页 |
| 5.2.2 结果与讨论 | 第56-58页 |
| 5.2.2.1 结构与形貌 | 第56-57页 |
| 5.2.2.2 光催化结果 | 第57-58页 |
| 5.3 结论 | 第58-59页 |
| 第6章 论文总结 | 第59-61页 |
| 6.1 主要结论 | 第59-60页 |
| 6.2 创新点 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 在学期间主要的研究成果 | 第73页 |
