| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 LED 的研究概述 | 第10-11页 |
| 1.2 LED 发光原理和器件的性能 | 第11-15页 |
| 1.2.1 LED 发光原理 | 第11-13页 |
| 1.2.2 LED 器件性能指标 | 第13-15页 |
| 1.3 氮化物材料的性质 | 第15-16页 |
| 1.4 极化效应及效率下降的介绍 | 第16-20页 |
| 1.4.1 极化效应 | 第16-18页 |
| 1.4.2 效率下降 | 第18-19页 |
| 1.4.3 减小极化效应及改善效率下降的途径 | 第19-20页 |
| 1.4.4 小结 | 第20页 |
| 1.5 本论文的主要内容 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 模拟理论及器件结构与参数 | 第26-40页 |
| 2.1 前言 | 第26页 |
| 2.2 LED 计算的理论基础 | 第26-33页 |
| 2.2.1 主要物理方程 | 第27-29页 |
| 2.2.2 非平衡载流子复合 | 第29-32页 |
| 2.2.3 内量子效率与注入效率 | 第32-33页 |
| 2.3 发光二极管器件结构介绍 | 第33页 |
| 2.3.1 In 组分梯度渐变 MQW LED 器件的原始结构 | 第33页 |
| 2.3.2 电子阻挡层设计和垒厚设计的 LED 器件原始结构 | 第33页 |
| 2.4 模拟参数设定 | 第33-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第三章 In 组分梯度渐变多量子阱结构对 LED 性能的影响 | 第40-48页 |
| 3.1 前言 | 第40页 |
| 3.2 器件外延结构设计 | 第40-41页 |
| 3.3 模拟结果与分析 | 第41-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第四章 能带设计的 AlGaN 电子阻挡层对 LED 载流子传输的改善 | 第48-60页 |
| 4.1 前言 | 第48-49页 |
| 4.2 器件外延结构设计 | 第49-50页 |
| 4.3 模拟结果与分析 | 第50-56页 |
| 4.3.1 能带设计的 AlGaN 电子阻挡层 | 第50-51页 |
| 4.3.2 AlGaN 电子阻挡层的进一步优化 | 第51-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 第五章 垒厚设计对蓝光 LED 性能的影响 | 第60-68页 |
| 5.1 前言 | 第60页 |
| 5.2 器件外延结构设计 | 第60-61页 |
| 5.3 模拟结果与分析 | 第61-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第六章 结论与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 本论文研究成果 | 第68-69页 |
| 6.2 展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文目录 | 第72页 |
