| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第1章 前言 | 第15-35页 |
| 1.1 有机分子发光材料的发光原理 | 第15-18页 |
| 1.1.1 激发态的形成与失活 | 第15-16页 |
| 1.1.2 激发态分子内的物理失活过程 | 第16-18页 |
| 1.2 OLEDs 的发光机理、发展现状及其存在问题 | 第18-21页 |
| 1.3 高激子利用率第三代有机电致发光材料 | 第21-26页 |
| 1.3.1 高激子利用率的共轭聚合物 | 第21-23页 |
| 1.3.2 高激子利用率的三线态（T）反系间窜越：TADF 和 TTA | 第23-26页 |
| 1.4 电荷转移态材料在 OLEDs 中的应用 | 第26-32页 |
| 1.4.1 分子内电荷转移（ICT）态 | 第27-32页 |
| 1.4.1.1 影响分子内电荷转移态的因素分析 | 第27-29页 |
| 1.4.1.2 扭曲的分子内电荷转移态（TICT） | 第29-32页 |
| 1.5 分子内电荷转移（ICT）态的激子特征以及存在的问题 | 第32-33页 |
| 1.6 研究的意义和内容 | 第33-35页 |
| 第2章 量子化学理论基础和计算方法 | 第35-53页 |
| 2.1 量子化学理论基础 | 第35-49页 |
| 2.1.1 分子轨道理论 (MO 理论) | 第35-39页 |
| 2.1.1.1 闭壳层分子的 HFR 方程 | 第36-37页 |
| 2.1.1.2 开壳层分子的 HFR 方程 | 第37-39页 |
| 2.1.2 电子相关 (CI)方法 | 第39-44页 |
| 2.1.2.1 组态相互作用（CI）及其近似方法 | 第40-41页 |
| 2.1.2.2 微扰理论（PT） | 第41-43页 |
| 2.1.2.3 藕合簇（CC）理论 | 第43-44页 |
| 2.1.3 密度泛函理论（DFT） | 第44-45页 |
| 2.1.4 含时密度泛函理论（TDDFT） | 第45-49页 |
| 2.2 计算方法 | 第49-53页 |
| 2.2.1 分子内电荷转移态的计算 | 第49-51页 |
| 2.2.2 轨道之间耦合系数的计算 | 第51-53页 |
| 第3章 高激子利用的反系间窜越新途径—“Hot”激子通道 | 第53-69页 |
| 3.1 引言 | 第53-55页 |
| 3.2 理论计算方法 | 第55-57页 |
| 3.2.1 计算方法（泛函）的选择 | 第55-57页 |
| 3.2.2 计算基组的选择 | 第57页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第57-67页 |
| 3.3.1 基态几何结构和前线轨道 | 第57-59页 |
| 3.3.2 激发态的跃迁特征 | 第59-62页 |
| 3.3.3 激发态的能级分布 | 第62-63页 |
| 3.3.4 “Cold”激子通道和“Hot”激子通道 | 第63-67页 |
| 3.3.4.1 以 4CzIPN 分子为代表的“Cold”激子通道发光机制 | 第64-65页 |
| 3.3.4.2 以 TPA-NZP 分子为代表的“Hot”激子通道发光机制 | 第65-67页 |
| 3.4 本章小结及未解决的几个问题 | 第67-69页 |
| 3.4.1 本章小结 | 第67-68页 |
| 3.4.2 待解决的问题 | 第68-69页 |
| 第4章 “HOT”激子通道形成的关键因素—大ΔET1T2与小ΔEST | 第69-85页 |
| 4.1 引言 | 第69-70页 |
| 4.1.1 三线态中大的能级差（Tm→Tm-1）的研究背景 | 第69-70页 |
| 4.2 TPA-NZP 分子中ΔET1T2的来源 | 第70-72页 |
| 4.3 理论计算方法 | 第72-74页 |
| 4.3.1 计算方法（泛函）和基组的选择 | 第72-73页 |
| 4.3.2 其他计算方法 | 第73-74页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第74-83页 |
| 4.4.1 一维增长的并苯类分子激发态的能级的研究 | 第74-79页 |
| 4.4.1.1 T 态能级分布 | 第74-75页 |
| 4.4.1.2 跃迁偶极矩方向 | 第75-76页 |
| 4.4.1.3 激发态 NTOs 和轨道跃迁特征 | 第76-77页 |
| 4.4.1.4 激发态构型比较 | 第77-79页 |
| 4.4.2 小ΔEST与旋轨耦合对“Hot”激子通道的贡献比较 | 第79-83页 |
| 4.5 本章小结 | 第83-85页 |
| 第5章 高效率的“Hot”激子通道的构筑及用于高激子利用和高发光的有机荧光材料分子设计 | 第85-107页 |
| 5.1 基于“Hot”激子通道的分子设计与实验结果 | 第85-87页 |
| 5.2 构筑高效的“Hot”激子通道的理论研究 | 第87-94页 |
| 5.2.1 计算方法和基组 | 第87页 |
| 5.2.2 构筑高效的“Hot”激子通道 | 第87-94页 |
| 5.2.2.1 大的ΔET1T2是高效的“Hot”激子通道的基础 | 第87-88页 |
| 5.2.2.2 三重态中接近大的ΔET1T2的 CT 态是高效的“Hot” 激子通道 | 第88-94页 |
| 5.3 兼顾高激子利用率和高荧光效率分子设计思路 | 第94-104页 |
| 5.3.1 高效的杂化的局域与电荷转移态（HLCT）态 | 第94-96页 |
| 5.3.2 扭转角对于 HLCT 性质及能量差的影响 | 第96-100页 |
| 5.3.3 优化 D-A 结构实现兼顾高激子利用率和高荧光效率的分子设计 | 第100-104页 |
| 5.3.3.1 改变 D-A 之间的连接方式 | 第101-102页 |
| 5.3.3.2 改变 D-A 的数目 | 第102-104页 |
| 5.4 本章小结 | 第104-107页 |
| 第6章 结论 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-123页 |
| 作者简介 | 第123页 |
| 攻读博士期间的学术论文 | 第123-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |
