| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 ZnO 基薄膜简介 | 第9-10页 |
| 1.2.1 ZnO 薄膜简介 | 第9-10页 |
| 1.2.2 ZnO:H 薄膜简介 | 第10页 |
| 1.2.3 ZnO:Cu 薄膜简介 | 第10页 |
| 1.3 ZnO 基薄膜的研究现状 | 第10-15页 |
| 1.3.1 H 掺杂 ZnO 薄膜的制备及光电特性 | 第10-12页 |
| 1.3.2 Cu 掺杂 ZnO 薄膜的制备及其磁、光、电特性 | 第12-14页 |
| 1.3.3 Cu、H 共掺杂 ZnO 薄膜的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4 本课题的研究目的与内容 | 第15-17页 |
| 第2章 实验方法 | 第17-22页 |
| 2.1 实验准备 | 第17页 |
| 2.2 靶材的制备 | 第17-19页 |
| 2.3 薄膜的制备 | 第19-20页 |
| 2.3.1 衬底的处理 | 第19页 |
| 2.3.2 薄膜样品的制备 | 第19-20页 |
| 2.4 薄膜表征 | 第20-22页 |
| 2.4.1 薄膜厚度的检测 | 第20页 |
| 2.4.2 薄膜的电学性能的检测与表征 | 第20-21页 |
| 2.4.3 薄膜的光学性能的检测与表征 | 第21-22页 |
| 第3章 低衬底温度下制备 Cu、H 共掺杂 ZnO 薄膜的结构及性能 | 第22-34页 |
| 3.1 低衬底温度下制备薄膜的工艺参数 | 第22-23页 |
| 3.2 低衬底温度下制备薄膜的结构分析 | 第23-26页 |
| 3.2.1 薄膜的 XRD 分析 | 第23-26页 |
| 3.2.2 薄膜厚度的研究 | 第26页 |
| 3.3 低衬底温度下制备薄膜的电学性能研究 | 第26-29页 |
| 3.4 低衬底温度下制备薄膜的光学性能研究 | 第29-33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 较高衬底温度下制备 Cu、H 共掺杂 ZnO 薄膜的结构及性能 | 第34-42页 |
| 4.1 较高衬底温度下制备薄膜的工艺参数 | 第34-35页 |
| 4.2 较高衬底温度下制备薄膜的厚度研究 | 第35页 |
| 4.3 较高衬底温度下制备薄膜的电学性能研究 | 第35-37页 |
| 4.4 较高衬底温度下制备薄膜的光学性能研究 | 第37-41页 |
| 4.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第5章 时效与真空退火处理对 Cu、H 共掺杂 ZnO 薄膜导电性能的影响 | 第42-52页 |
| 5.1 时效对薄膜导电性能的影响 | 第42-47页 |
| 5.1.1 时效对低衬底温度下制备薄膜导电性能的影响 | 第42-45页 |
| 5.1.2 时效对较高衬底温度下制备薄膜导电性能的影响 | 第45-47页 |
| 5.2 真空退火处理对薄膜导电性能的影响 | 第47-50页 |
| 5.2.1 薄膜制备与退火处理工艺参数 | 第47-48页 |
| 5.2.2 退火处理薄膜的导电性能 | 第48-49页 |
| 5.2.3 时效对退火处理薄膜导电性能的影响 | 第49-50页 |
| 5.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第6章 全文总结 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第59页 |
