| 第一章 引言 | 第8-14页 |
| 1.1 半导体激光器概述 | 第8-9页 |
| 1.2 半导体激光器可靠性研究的意义 | 第9-10页 |
| 1.3 噪声在半导体器件可靠性评价中的应用 | 第10-14页 |
| 1.3.1 传统的可靠性评价和筛选方法 | 第10-12页 |
| 1.3.2 噪声用于半导体器件可靠性评价和筛选 | 第12-14页 |
| 第二章 半导体激光器的可靠性研究 | 第14-25页 |
| 2.1 半导体激光器可靠性概述 | 第14页 |
| 2.2 影响半导体激光器可靠性的主要因素 | 第14-20页 |
| 2.2.1 缺陷在有源区内形成 | 第15页 |
| 2.2.2 腔面损伤 | 第15-17页 |
| 2.2.3 非辐射复合与内部吸收的影响 | 第17页 |
| 2.2.4 电流限制结退化 | 第17-18页 |
| 2.2.5 欧姆接触退化与焊料变质 | 第18页 |
| 2.2.6 过载失效 | 第18-19页 |
| 2.2.7 工作条件对器件退化的影响 | 第19-20页 |
| 2.3 半导体激光器的退化模式 | 第20-22页 |
| 2.3.1 突然失效 | 第20页 |
| 2.3.2 快速退化 | 第20-21页 |
| 2.3.3 缓慢退化 | 第21-22页 |
| 2.4 提高半导体激光器可靠性的措施 | 第22-25页 |
| 2.4.1 器件制备工艺和材料结构方面 | 第22-23页 |
| 2.4.2 半导体激光器使用方面的可靠性考虑 | 第23-25页 |
| 第三章 高功率量子阱半导体激光器制作工艺研究 | 第25-31页 |
| 3.1 MOCVD 技术 | 第25-26页 |
| 3.2 器件的制作工艺流程 | 第26-29页 |
| 3.2.1 工艺流程 | 第26-27页 |
| 3.2.2 工艺说明 | 第27-29页 |
| 3.3 制作工艺中问题研究 | 第29-31页 |
| 3.3.1 用微腐蚀方法控制电流扩展 | 第29-30页 |
| 3.3.2 镀金条件的控制 | 第30-31页 |
| 第四章 温度对半导体激光器性能的影响 | 第31-38页 |
| 4.1 温度对性能参数的影响 | 第31-35页 |
| 4.1.1 温度与阈值电流密度的关系 | 第31-33页 |
| 4.1.2 温度对输出光功率的影响 | 第33-34页 |
| 4.1.3 温度对微分量子效率的影响 | 第34-35页 |
| 4.1.4 温度对激光器光谱的影响 | 第35页 |
| 4.2 温度与激光器结构设计和工艺的关系 | 第35-38页 |
| 第五章 电导数技术用于量子阱半导体激光器可靠性研究 | 第38-45页 |
| 5.1 引言 | 第38页 |
| 5.2 电导数测量原理 | 第38-40页 |
| 5.3 半导体激光器电导数曲线及参数与器件可靠性关系 | 第40-41页 |
| 5.3.1 结特征参量m | 第40-41页 |
| 5.3.2 电压饱和深度h | 第41页 |
| 5.3.3 截距b | 第41页 |
| 5.4 高功率ALGAAS/GAAS半导体体激光器电导数测试 | 第41-45页 |
| 5.4.1 器件结构和电导数测试 | 第42-43页 |
| 5.4.2 大功率半导体激光器电导数参数的特性 | 第43页 |
| 5.4.3 大功率半导体激光器电导数参数与器件可靠性关系 | 第43-45页 |
| 第六章 半导体激光器噪声与器件可靠性的相关性研究 | 第45-67页 |
| 6.1 噪声与电光导数的相关性研究 | 第45-49页 |
| 6.1.1 器件噪声与电光导数参数间的相关性 | 第45-47页 |
| 6.1.2 噪声与电光导数曲线的相关性 | 第47-49页 |
| 6.2 退火与器件噪声的相关性研究 | 第49-53页 |
| 6.2.1 实验 | 第49-51页 |
| 6.2.2 实验结果讨论 | 第51-52页 |
| 6.2.3 结论 | 第52-53页 |
| 6.3 腔面状况改变与器件噪声的相关性研究 | 第53-58页 |
| 6.3.1 腔面状况改变对器件噪声的影响 | 第53-56页 |
| 6.3.2 噪声与非辐射复合电流的关系 | 第56-58页 |
| 6.4 串并联电阻与器件噪声的相关性研究 | 第58-61页 |
| 6.4.1 串联回路的影响 | 第58-60页 |
| 6.4.2 并联回路的影响 | 第60-61页 |
| 6.4.3 串并联回路对器件可靠性的影响 | 第61页 |
| 6.5 G-R噪声及其与器件质量的相关性研究 | 第61-67页 |
| 6.5.1 g-r 噪声的特征分析 | 第61-63页 |
| 6.5.2 g-r 噪声测量和实验结果分析 | 第63-65页 |
| 6.5.3 g-r 噪声与器件质量的相关性 | 第65-67页 |
| 第七章 噪声用于半导体激光器可靠性筛选 | 第67-76页 |
| 7.1 噪声判据的选择和判据阈值的确定 | 第67-69页 |
| 7.1.1 测试频率的选择 | 第67-68页 |
| 7.1.2 测试电流的选择 | 第68页 |
| 7.1.3 筛选准确性的定义 | 第68页 |
| 7.1.4 判据阈值的确定 | 第68-69页 |
| 7.2 实验结果及讨论 | 第69-74页 |
| 7.2.1 噪声测试 | 第69-70页 |
| 7.2.2 噪声分布的直方图 | 第70页 |
| 7.2.3 老化结果 | 第70-71页 |
| 7.2.4 确定噪声判据阈值 | 第71-74页 |
| 7.3 噪声变化量在器件可靠性筛选中的作用 | 第74-76页 |
| 结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 摘要 | 第81-84页 |
| ABSTRACT | 第84页 |
