| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 论文研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 SiC器件国外发展及研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 SiC器件国内发展及研究现状 | 第11页 |
| 1.4 SiC逆变器研究情况 | 第11-13页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第13-16页 |
| 2 SiC器件的特性分析 | 第16-28页 |
| 2.1 SiC MOSFET的静态特性分析 | 第16-17页 |
| 2.2 SiC MOSFET的动态特性分析 | 第17-19页 |
| 2.3 SiC与Si二极管的特性对比分析 | 第19-21页 |
| 2.4 SiC MOSFET双脉冲测试电路 | 第21-26页 |
| 2.4.1 SiC MOSFET动态性能测试 | 第21-25页 |
| 2.4.2 SiC MOSFET温度特性仿真研究 | 第25-26页 |
| 2.5 小结 | 第26-28页 |
| 3 SiC MOSFET移相全桥逆变电路的分析与设计 | 第28-44页 |
| 3.1 ZVS全桥逆变电路工作原理 | 第28-33页 |
| 3.2 系统的总体结构 | 第33-35页 |
| 3.3 主电路各器件的参数设计 | 第35-41页 |
| 3.3.1 输入整流二极管的参数计算及型号选择 | 第35-36页 |
| 3.3.2 输入整流滤波电路的设计 | 第36-37页 |
| 3.3.3 功率开关管的选择 | 第37-38页 |
| 3.3.4 高频变压器的设计 | 第38-40页 |
| 3.3.5 缓冲电容的选取 | 第40页 |
| 3.3.6 谐振电感的选取 | 第40-41页 |
| 3.3.7 输出滤波器的设计 | 第41页 |
| 3.4 SiC MOSFET损耗组成及计算方法 | 第41-42页 |
| 3.5 小结 | 第42-44页 |
| 4 SiC MOSFET移相全桥逆变电路的系统设计 | 第44-56页 |
| 4.1 控制系统方案 | 第44页 |
| 4.2 控制系统硬件电路设计 | 第44-50页 |
| 4.2.1 核心控制单元的设计 | 第44-46页 |
| 4.2.2 驱动电路的设计 | 第46-47页 |
| 4.2.3 检测电路的设计 | 第47-48页 |
| 4.2.4 保护电路的设计 | 第48-49页 |
| 4.2.5 辅助电源的设计 | 第49-50页 |
| 4.3 控制系统的软件实现 | 第50-55页 |
| 4.3.1 PWM模块的产生 | 第51-53页 |
| 4.3.2 A/D采样模块 | 第53-54页 |
| 4.3.3 PID调节子程序 | 第54-55页 |
| 4.4 小结 | 第55-56页 |
| 5 仿真分析与实验结果验证 | 第56-74页 |
| 5.1 Si IGBT与SiC MOSFET的仿真对比研究 | 第56-57页 |
| 5.2 ZVS移相全桥逆变器仿真与效率分析 | 第57-67页 |
| 5.3 移相全桥逆变系统闭环仿真 | 第67-69页 |
| 5.4 实验结果 | 第69-72页 |
| 5.5 实验效率分析 | 第72页 |
| 5.6 小结 | 第72-74页 |
| 6 结论与展望 | 第74-76页 |
| 6.1 总结 | 第74页 |
| 6.2 展望 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第81页 |
