| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 薄膜晶体管的种类 | 第11-13页 |
| 1.2.1 非晶硅薄膜晶体管 | 第11页 |
| 1.2.2 多晶硅薄膜晶体管 | 第11-12页 |
| 1.2.3 有机薄膜晶体管 | 第12页 |
| 1.2.4 氧化物薄膜晶体管 | 第12-13页 |
| 1.3 薄膜晶体管在显示中的应用 | 第13-15页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 IZO薄膜晶体管电学参数提取 | 第18-37页 |
| 2.1 IZO薄膜晶体管器件结构与工作机理 | 第18-19页 |
| 2.2 IZO薄膜晶体管主要电学参数 | 第19-20页 |
| 2.3 电学参数提取方法 | 第20-22页 |
| 2.4 源漏串联总电阻(Rs+Rd)提取方法 | 第22-28页 |
| 2.5 有源层态密度DOS(Density of State)提取方法 | 第28-32页 |
| 2.6 IZO TFT中的低频噪声 | 第32-36页 |
| 2.6.1 噪声的分类 | 第32-33页 |
| 2.6.2 低频噪声分析与参数提取 | 第33-36页 |
| 2.7 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 IZO薄膜晶体管栅偏压应力退化特性 | 第37-45页 |
| 3.1 负栅偏压直流应力试验 | 第37-40页 |
| 3.2 正栅偏压直流应力试验 | 第40-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 IZO薄膜晶体管栅漏协同电应力退化特性 | 第45-51页 |
| 4.1 栅漏协同应力对I-V的影响 | 第45-46页 |
| 4.2 栅漏协同应力对C-V的影响 | 第46-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 IZO薄膜晶体管ESD应力退化特性 | 第51-62页 |
| 5.1 ESD测试方法 | 第51-52页 |
| 5.2 IZO TFT的击穿电压VBD | 第52-55页 |
| 5.3 IZO TFT击穿前的退化分析 | 第55-56页 |
| 5.4 基于时间损伤阈的预测 | 第56-57页 |
| 5.5 重复TLP脉冲 | 第57-61页 |
| 5.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 附件 | 第72页 |