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异质结构磁性薄膜的界面相关性能及其调控与应用研究

致谢第4-5页
摘要第5-7页
Abstract第7-8页
1 绪论第11-51页
    1.1 自旋电子学简介第12-23页
        1.1.1 自旋电子学—从电荷到自旋第12-13页
        1.1.2 自旋电子学的发展及应用第13-23页
    1.2 异质结构磁性薄膜的磁各向异性第23-33页
        1.2.1 从面内磁各向异性到垂直磁各向异性第23-27页
        1.2.2 界面垂直磁各向异性的来源及影响因素第27-33页
    1.3 异质结构磁性薄膜的自旋相关输运性质第33-50页
        1.3.1 磁性隧道结中的隧穿磁电阻第33-37页
        1.3.2 磁性薄膜/多层膜中的反常霍尔效应第37-43页
        1.3.3 重金属/铁磁金属/氧化物异质薄膜中的自旋轨道矩第43-50页
    1.4 本论文的研究思路及内容结构第50-51页
2 实验方法第51-64页
    2.1 薄膜样品制备与微加工第51-57页
        2.1.1 磁控溅射技术第51-53页
        2.1.2 分子束外延技术第53页
        2.1.3 真空后退火处理第53-54页
        2.1.4 紫外曝光与Ar离子刻蚀第54-57页
    2.2 样品结构表征第57-60页
        2.2.1 X射线衍射(XRD)第57页
        2.2.2 反射式高能电子衍射(RHEED)第57-58页
        2.2.3 透射电子显微技术(TEM)第58-59页
        2.2.4 X射线光电子能谱(XPS)第59-60页
    2.3 样品磁性测量第60-62页
        2.3.1 振动样品磁强计(VSM)第60页
        2.3.2 电子自旋共振谱仪(ESR)第60-62页
    2.4 样品磁电输运性质测量第62-64页
        2.4.1 室温直流四探针测量系统第62页
        2.4.2 变温综合物性测量系统(PPMS)第62-64页
3 Ll_0-FePt/MgO/Ll_0-FePt垂直隧道结中界面终止层对自旋相关隧穿的影响第64-82页
    3.1 研究背景第64-67页
    3.2 单晶外延垂直隧道结样品制备与结构表征第67-72页
    3.3 FePt/MgO界面终止层(Fe或Pt)对体系输运性能的影响第72-81页
    3.4 本章小结第81-82页
4 MgO双势垒隧道结中Fe层厚度调制的界面结构对自旋相关隧穿的影响第82-110页
    4.1 研究背景第82-85页
    4.2 单晶外延双势垒隧道结样品制备与输运测量第85-97页
    4.3 中间Fe层形貌及MgO/Fe/MgO界面结构原位表征第97-103页
    4.4 界面结构动态演变对体系输运性能的影响第103-109页
    4.5 本章小结第109-110页
5 垂直各向异性铁磁金属/氧化物界面调控对体系磁性能及输运性能的影响第110-145页
    5.1 研究背景第110-112页
    5.2 SiO_2包覆层对无序FePt磁各向异性的影响第112-122页
    5.3 Ta插层对[Pt/Co]_3/MgO垂直磁各向异性及反常霍尔效应的影响第122-131页
    5.4 Gd插层对Ta/CoFeB/MgO垂直磁各向异性及磁阻尼的影响第131-144页
    5.5 本章小结第144-145页
6 重金属/铁磁金属/氧化物异质结构中自旋轨道矩引起磁化翻转的逻辑应用第145-157页
    6.1 研究背景第145-146页
    6.2 Ta/CoFeB/MgO单一结构中全部16种布尔逻辑运算的实验完成第146-152页
    6.3 结合电压调控磁各向异性设计三端自旋逻辑器件单元第152-156页
    6.4 本章小结第156-157页
7 结论第157-159页
参考文献第159-186页
作者简历及在学研究成果第186-191页
学位论文数据集第191页

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