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铝诱导非晶硅薄膜的低温快速晶化研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-6页
英文缩写简表第10-11页
第1章 绪论第11-18页
    1.1 研究背景第11-13页
    1.2 国内外研究现状第13-16页
        1.2.1 铝诱导非晶硅薄膜晶化的研究进展第13-15页
        1.2.2 铝诱导非晶硅薄膜晶化在太阳电池中的应用第15-16页
    1.3 本文的研究内容与创新点第16-18页
        1.3.1 主要研究内容第16页
        1.3.2 研究方案第16-18页
第2章 实验原理与方法第18-29页
    2.1 磁控溅射制备薄膜的原理第18-19页
    2.2 实验设备与材料第19-20页
        2.2.1 主要设备第19页
        2.2.2 主要原料第19-20页
    2.3 薄膜的制备第20-21页
        2.3.1 衬底的清洗第20页
        2.3.2 薄膜的溅射制备第20-21页
    2.4 光热退火第21-23页
        2.4.1 光热退火的基本原理第21-22页
        2.4.2 薄膜的退火处理第22-23页
    2.5 性能表征第23-28页
        2.5.1 光学显微镜第24页
        2.5.2 台阶仪第24-25页
        2.5.3 X射线衍射仪(XRD)第25-26页
        2.5.4 拉曼散射谱(Raman)第26-27页
        2.5.5 紫外-可见光吸收光谱(UV-VIS)第27-28页
    2.6 本章小结第28-29页
第3章 磁控溅射制备非晶硅薄膜的工艺优化第29-35页
    3.1 引言第29-30页
    3.2 结果与讨论第30-34页
        3.2.1 物相结构分析第30-31页
        3.2.2 SPSS统计分析第31-33页
        3.2.3 光学性能分析第33-34页
    3.3 本章小结第34-35页
第4章 衬底及其温度对铝诱导非晶硅薄膜晶化的影响第35-41页
    4.1 引言第35-36页
    4.2 结果与讨论第36-40页
        4.2.1 物相结构分析第36-39页
        4.2.2 薄膜性能的理论计算分析第39-40页
    4.3 本章小结第40-41页
第5章 单晶硅衬底外延生长硅薄膜的研究第41-48页
    5.1 引言第41-42页
    5.2 结果与讨论第42-47页
        5.2.1 单晶硅衬底性能分析第42-44页
        5.2.2 外延薄膜性能分析第44-47页
    5.3 本章小结第47-48页
第6章 退火工艺对铝诱导非晶硅薄膜晶化的研究第48-56页
    6.1 引言第48-49页
    6.2 结果与讨论第49-55页
        6.2.1 表面形貌分析第49-51页
        6.2.2 物相结构分析第51-54页
        6.2.3 光学性能分析第54-55页
    6.3 本章小结第55-56页
第7章 磁控共溅射制备多晶硅薄膜的研究第56-62页
    7.1 引言第56-57页
    7.2 结果与讨论第57-61页
        7.2.1 表面形貌分析第57-58页
        7.2.2 物相结构分析第58-60页
        7.2.3 光学性能分析第60-61页
    7.3 本章小结第61-62页
第8章 结论与展望第62-64页
    8.1 结论第62-63页
    8.2 创新点第63页
    8.3 进一步的研究工作与展望第63-64页
参考文献第64-72页
攻读硕士学位期间的科研成果第72-75页
致谢第75页

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