| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 半导体存储器介绍 | 第12-13页 |
| 1.2 新型存储器介绍 | 第13-18页 |
| 1.2.1 分离电荷存储器 | 第14页 |
| 1.2.2 铁电存储器 | 第14-15页 |
| 1.2.3 磁性存储器 | 第15-16页 |
| 1.2.4 相变存储器 | 第16-17页 |
| 1.2.5 阻变存储器 | 第17-18页 |
| 1.3 研究意义及研究内容 | 第18-20页 |
| 1.3.1 研究意义 | 第18页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 阻变存储器概述 | 第22-34页 |
| 2.1 阻变存储器的材料体系 | 第22-24页 |
| 2.1.1 有机材料 | 第22页 |
| 2.1.2 复杂氧化物 | 第22-23页 |
| 2.1.3 二元金属氧化物 | 第23页 |
| 2.1.4 固态电解液材料 | 第23-24页 |
| 2.2 阻变存储器的存储机制 | 第24-30页 |
| 2.2.1 导电细丝机制 | 第24-25页 |
| 2.2.2 SCLC模型 | 第25-26页 |
| 2.2.3 肖特基发射效应 | 第26-28页 |
| 2.2.4 SV模型 | 第28页 |
| 2.2.5 Frenkel-Pool发射模型 | 第28-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-34页 |
| 第三章 纳米针尖制备工艺研究 | 第34-54页 |
| 3.1 纳米针尖介绍 | 第34-36页 |
| 3.1.1 场发射针尖 | 第34页 |
| 3.1.2 RRAM中的纳米针尖 | 第34-36页 |
| 3.2 纳米针尖的制备方法 | 第36-37页 |
| 3.3 针尖制备 | 第37-49页 |
| 3.3.1 光刻工艺介绍 | 第37-41页 |
| 3.3.2 刻蚀工艺介绍 | 第41-46页 |
| 3.3.3 制备纳米针尖 | 第46-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 第四章 基于纳米针尖的阻变存储器的研究 | 第54-68页 |
| 4.1 引言 | 第54-55页 |
| 4.2 阻变存储器的基本特性 | 第55-58页 |
| 4.2.1 阻变过程的描述 | 第55-56页 |
| 4.2.2 阻变的操作模式 | 第56-57页 |
| 4.2.3 性能评价参数 | 第57-58页 |
| 4.3 基于纳米针尖的RRAM制备 | 第58-60页 |
| 4.4 器件性能研究 | 第60-65页 |
| 4.4.1 HfOx材料表征 | 第60-61页 |
| 4.4.2 平面与针尖Cu/HfOx/Pt器件基本电学特性对比 | 第61-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-70页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第68页 |
| 5.2 对未来研究工作的展望 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 作者和导师介绍 | 第72-73页 |
| 北京化工大学专业学位硕士研究生学位论文答辩委员会决议书 | 第73-74页 |