| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 硅基微纳材料研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3 论文的主要研究内容及整体结构 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-21页 |
| 第二章 纳米岛的应变弛豫和电子结构 | 第21-50页 |
| 2.1 连续弹性理论 | 第21-25页 |
| 2.2 Si(001)衬底上生长GeSi纳米岛 | 第25-36页 |
| 2.2.1 GeSi纳米岛仿真计算模型 | 第27-28页 |
| 2.2.2 GeSi纳米岛生长的应变弛豫 | 第28-33页 |
| 2.2.3 GeSi纳米岛电子结构 | 第33-35页 |
| 2.2.4 GeSi纳米岛应变弛豫和电子结构小结 | 第35-36页 |
| 2.3 GaAs(001)衬底In(Ga)As纳米岛的电子结构 | 第36-45页 |
| 2.3.1 In(Ga)As纳米岛仿真计算模型 | 第36-38页 |
| 2.3.2 不同情况下纳米岛电子结构分析 | 第38-44页 |
| 2.3.3 In(Ga)As纳米岛电子结构小结 | 第44-45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 第三章 氧化锌和碲化镉纳米线制备 | 第50-69页 |
| 3.1 氧化锌纳米线的制备 | 第50-60页 |
| 3.1.1 氧化锌纳米线制备方法 | 第51-52页 |
| 3.1.2 籽晶层制备 | 第52-53页 |
| 3.1.3 氧化锌纳米棒水热合成反应 | 第53页 |
| 3.1.4 试验样品表征 | 第53-54页 |
| 3.1.5 籽晶层对纳米棒的影响 | 第54-56页 |
| 3.1.6 退火对氧化锌纳米棒的影响 | 第56-59页 |
| 3.1.7 氧化锌水热实验小结 | 第59-60页 |
| 3.2 碲化镉纳米线的制备 | 第60-64页 |
| 3.2.1 碲化镉纳米线制备方法 | 第60页 |
| 3.2.2 籽晶层制备 | 第60页 |
| 3.2.3 水热合成实验 | 第60-61页 |
| 3.2.4 无衬底的水热合成实验 | 第61-62页 |
| 3.2.5 加入衬底后的水热合成实验 | 第62-64页 |
| 3.2.6 碲化镉纳米线制备小结 | 第64页 |
| 3.3 本章小结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第四章 双微腔系统单光子发射特性 | 第69-78页 |
| 4.1 单光子发射研究背景 | 第69-70页 |
| 4.2 系统模型 | 第70-72页 |
| 4.3 模型仿真及结果分析 | 第72-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第五章 微环谐振腔的非线性效应 | 第78-95页 |
| 5.1 微环谐振腔理论基础 | 第78-82页 |
| 5.1.1 耦合模理论 | 第79页 |
| 5.1.2 微环谐振腔传输特性分析 | 第79-81页 |
| 5.1.3 微环谐振腔的重要参数 | 第81-82页 |
| 5.2 微环谐振腔的仿真研究 | 第82-85页 |
| 5.3 硅基波导中的主要非线性效应分析 | 第85-91页 |
| 5.3.1 线性系统中的时域耦合模理论 | 第86-87页 |
| 5.3.2 硅的主要三阶非线性 | 第87-91页 |
| 5.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第六章 总结与展望 | 第95-98页 |
| 6.1 论文研究内容总结 | 第95-96页 |
| 6.2 论文的不足之处 | 第96页 |
| 6.3 展望 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98-100页 |
| 攻读博士学位期间的主要科研成果 | 第100页 |