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高性能4H-SiC BJT器件设计及制备技术研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
符号对照表第16-19页
缩略语对照表第19-24页
第一章 绪论第24-38页
    1.1 研究背景第24-26页
    1.2 碳化硅材料及功率器件第26-34页
        1.2.1 碳化硅材料简介第26-28页
        1.2.2 碳化硅功率开关器件发展现状第28-33页
        1.2.3 4H-SiC双极型晶体管存在的问题第33-34页
    1.3 本文主要工作第34-38页
第二章 4H-SiC BJT仿真模型及器件物理第38-60页
    2.1 仿真模型第38-48页
        2.1.1 仿真软件简介第38-39页
        2.1.2 4H-SiC材料及器件物理模型第39-45页
        2.1.3 模型验证第45-48页
    2.2 SiC功率BJT器件物理第48-59页
        2.2.1 功率双极型晶体管工作机理第48-51页
        2.2.2 SiC功率BJT电学表征参数第51-59页
    2.3 本章小结第59-60页
第三章 非理想效应及器件结构设计第60-78页
    3.1 SiC双极型晶体管非理想效应第60-64页
        3.1.1 电流集边效应第60-62页
        3.1.2 厄利效应第62-64页
        3.1.3 基区穿通及电场集中效应第64页
    3.2 器件结构设计第64-68页
        3.2.1 发射区设计第65-66页
        3.2.2 基区设计第66-67页
        3.2.3 集电区设计第67-68页
    3.3 结终端设计第68-76页
        3.3.1 刻蚀工艺的影响第68-71页
        3.3.2 JTE Rings终端结构设计第71-76页
    3.4 本章小结第76-78页
第四章 高电流增益4H-SiC双极型器件研究第78-92页
    4.1 4H-SiC VT-BJT结构性能分析第78-83页
        4.1.1 器件结构及工作机理第78-79页
        4.1.2 电流增益第79-82页
        4.1.3 击穿特性第82-83页
    4.2 4H-SiC WFD-BJT器件性能分析第83-87页
        4.2.1 器件结构及工作机理第83-85页
        4.2.2 输出特性第85-87页
    4.3 4H-SiC达林顿管仿真研究第87-90页
        4.3.1 4H-SiC达林顿管简介第87-88页
        4.3.2 集成式SiC达林顿管特性仿真第88-90页
    4.4 本章小结第90-92页
第五章 SiC双极型晶体管少子寿命研究第92-104页
    5.1 SiC少子寿命研究研究现状第92页
    5.2 热氧化法提升少子寿命工艺研究第92-96页
        5.2.1 实验准备第93-94页
        5.2.2 测试方法第94-95页
        5.2.3 测试结果分析第95-96页
    5.3 少子寿命对SiC BJT器件性能的影响第96-103页
        5.3.1 发射区少子寿命的影响第97-98页
        5.3.2 基区少子寿命的影响第98-103页
    5.4 本章小结第103-104页
第六章 4H-SiC BJT实验设计及器件制备第104-124页
    6.1 器件工艺流程第104-109页
        6.1.1 外延参数及器件结构第104-105页
        6.1.2 器件工艺流程第105-109页
    6.2 关键工艺研究第109-114页
        6.2.1 TiAl基n型欧姆接触实验研究第109-111页
        6.2.2 结终端离子注入工艺研究第111-113页
        6.2.3 NO气氛退火工艺研究第113-114页
    6.3 版图设计第114-116页
    6.4 流片与测试结果第116-122页
        6.4.1 器件研制过程第116-117页
        6.4.2 BJT正向特性测试结果第117-118页
        6.4.3 BJT反向特性测试结果第118-120页
        6.4.4 达林顿管测试结果第120-122页
    6.5 本章小结第122-124页
第七章 结束语第124-128页
参考文献第128-140页
致谢第140-142页
作者简介第142-143页

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