碳化铍薄膜的制备技术与性质研究
摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第11-25页 |
1.1 应用背景 | 第11-16页 |
1.1.1 ICF靶设计要求 | 第12-14页 |
1.1.2 磁约束聚变等离子体壁材料 | 第14-16页 |
1.2 碳化铍的结构 | 第16页 |
1.3 碳化铍的性质 | 第16-18页 |
1.4 碳化铍的制备方法 | 第18-22页 |
1.4.1 碳化铍块体的制备 | 第18-20页 |
1.4.2 碳化铍薄膜的制备 | 第20-22页 |
1.5 本论文的选题意义及主要内容 | 第22-25页 |
第二章 实验技术与表征方法介绍 | 第25-45页 |
2.1 薄膜制备技术 | 第25-35页 |
2.1.1 金属有机化学气相沉积 | 第25-28页 |
2.1.2 反应磁控溅射沉积 | 第28-35页 |
2.2 材料表征手段 | 第35-44页 |
2.2.1 组成与结构 | 第35-39页 |
2.2.2 形貌和表面粗糙度表征 | 第39-41页 |
2.2.3 密度 | 第41页 |
2.2.4 力学性质 | 第41-43页 |
2.2.5 光学性质 | 第43-44页 |
2.3 本章小节 | 第44-45页 |
第三章 碳化铍结构与性质第一性原理研究 | 第45-55页 |
3.1 计算方法 | 第45-46页 |
3.2 结果与讨论 | 第46-53页 |
3.2.1 Be_2C的力学性质及稳定性 | 第46-49页 |
3.2.2 Be_2C的电子结构 | 第49-50页 |
3.2.3 Be_2C的光学性质 | 第50-53页 |
3.3 本章小结 | 第53-55页 |
第四章 金属有机化学气相沉积法制备Be_2C薄膜 | 第55-89页 |
4.1 实验制备 | 第55-57页 |
4.2 二叔丁基铍为金属有机源制备Be_2C薄膜 | 第57-68页 |
4.2.1 薄膜组成和结构的影响 | 第57-62页 |
4.2.2 薄膜形貌的影响 | 第62-65页 |
4.2.3 薄膜表面粗糙度的影响 | 第65-66页 |
4.2.4 薄膜沉积速率的影响 | 第66-67页 |
4.2.5 薄膜密度的影响 | 第67页 |
4.2.6 小结 | 第67-68页 |
4.3 二乙基铍为金属有机源制备Be_2C薄膜 | 第68-82页 |
4.3.1 薄膜组成和结构的影响 | 第69-75页 |
4.3.2 薄膜形貌的影响 | 第75-79页 |
4.3.3 薄膜表面粗糙度的影响 | 第79-80页 |
4.3.4 薄膜沉积速率的影响 | 第80-81页 |
4.3.5 薄膜密度的影响 | 第81页 |
4.3.6 小结 | 第81-82页 |
4.4 金属有机源的选择 | 第82页 |
4.5 碳化铍薄膜稳定性的研究 | 第82-85页 |
4.6 烷基铍制备碳化铍薄膜的生长机理讨论 | 第85-87页 |
4.7 本章小结 | 第87-89页 |
第五章 反应磁控溅射法制备Be_2C薄膜 | 第89-126页 |
5.1 实验制备 | 第89-91页 |
5.2 工艺条件对薄膜的影响 | 第91-124页 |
5.2.1 薄膜组成和结构的影响 | 第91-103页 |
5.2.2 薄膜形貌的影响 | 第103-109页 |
5.2.3 薄膜表面粗糙度的影响 | 第109页 |
5.2.4 薄膜沉积速率的影响 | 第109-114页 |
5.2.5 薄膜密度的影响 | 第114-115页 |
5.2.6 薄膜的光学性质 | 第115-121页 |
5.2.7 薄膜的力学性质 | 第121-124页 |
5.3 本章小结 | 第124-126页 |
第六章 自支撑碳化铍平面薄膜 | 第126-133页 |
6.1 实验方案 | 第126-127页 |
6.1.1 脱模剂层制备 | 第126-127页 |
6.1.2 Be_2C平面薄膜制备 | 第127页 |
6.1.3 平面薄膜脱模 | 第127页 |
6.2 自支撑Be_2C平面薄膜性质 | 第127-130页 |
6.2.1 自支撑薄膜组成分析 | 第128-129页 |
6.2.2 自支撑薄膜的显微结构和表面粗糙度 | 第129-130页 |
6.2.3 自支撑薄膜的沉积速度和密度 | 第130页 |
6.3 Be_2C薄膜缺陷结构及机理分析 | 第130-131页 |
6.4 本章小结 | 第131-133页 |
第七章 结论与展望 | 第133-136页 |
7.1 结论 | 第133-135页 |
7.2 展望 | 第135页 |
7.3 创新点 | 第135-136页 |
致谢 | 第136-137页 |
参考文献 | 第137-147页 |
附录 | 第147页 |