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碳化铍薄膜的制备技术与性质研究

摘要第3-5页
Abstract第5-7页
第一章 绪论第11-25页
    1.1 应用背景第11-16页
        1.1.1 ICF靶设计要求第12-14页
        1.1.2 磁约束聚变等离子体壁材料第14-16页
    1.2 碳化铍的结构第16页
    1.3 碳化铍的性质第16-18页
    1.4 碳化铍的制备方法第18-22页
        1.4.1 碳化铍块体的制备第18-20页
        1.4.2 碳化铍薄膜的制备第20-22页
    1.5 本论文的选题意义及主要内容第22-25页
第二章 实验技术与表征方法介绍第25-45页
    2.1 薄膜制备技术第25-35页
        2.1.1 金属有机化学气相沉积第25-28页
        2.1.2 反应磁控溅射沉积第28-35页
    2.2 材料表征手段第35-44页
        2.2.1 组成与结构第35-39页
        2.2.2 形貌和表面粗糙度表征第39-41页
        2.2.3 密度第41页
        2.2.4 力学性质第41-43页
        2.2.5 光学性质第43-44页
    2.3 本章小节第44-45页
第三章 碳化铍结构与性质第一性原理研究第45-55页
    3.1 计算方法第45-46页
    3.2 结果与讨论第46-53页
        3.2.1 Be_2C的力学性质及稳定性第46-49页
        3.2.2 Be_2C的电子结构第49-50页
        3.2.3 Be_2C的光学性质第50-53页
    3.3 本章小结第53-55页
第四章 金属有机化学气相沉积法制备Be_2C薄膜第55-89页
    4.1 实验制备第55-57页
    4.2 二叔丁基铍为金属有机源制备Be_2C薄膜第57-68页
        4.2.1 薄膜组成和结构的影响第57-62页
        4.2.2 薄膜形貌的影响第62-65页
        4.2.3 薄膜表面粗糙度的影响第65-66页
        4.2.4 薄膜沉积速率的影响第66-67页
        4.2.5 薄膜密度的影响第67页
        4.2.6 小结第67-68页
    4.3 二乙基铍为金属有机源制备Be_2C薄膜第68-82页
        4.3.1 薄膜组成和结构的影响第69-75页
        4.3.2 薄膜形貌的影响第75-79页
        4.3.3 薄膜表面粗糙度的影响第79-80页
        4.3.4 薄膜沉积速率的影响第80-81页
        4.3.5 薄膜密度的影响第81页
        4.3.6 小结第81-82页
    4.4 金属有机源的选择第82页
    4.5 碳化铍薄膜稳定性的研究第82-85页
    4.6 烷基铍制备碳化铍薄膜的生长机理讨论第85-87页
    4.7 本章小结第87-89页
第五章 反应磁控溅射法制备Be_2C薄膜第89-126页
    5.1 实验制备第89-91页
    5.2 工艺条件对薄膜的影响第91-124页
        5.2.1 薄膜组成和结构的影响第91-103页
        5.2.2 薄膜形貌的影响第103-109页
        5.2.3 薄膜表面粗糙度的影响第109页
        5.2.4 薄膜沉积速率的影响第109-114页
        5.2.5 薄膜密度的影响第114-115页
        5.2.6 薄膜的光学性质第115-121页
        5.2.7 薄膜的力学性质第121-124页
    5.3 本章小结第124-126页
第六章 自支撑碳化铍平面薄膜第126-133页
    6.1 实验方案第126-127页
        6.1.1 脱模剂层制备第126-127页
        6.1.2 Be_2C平面薄膜制备第127页
        6.1.3 平面薄膜脱模第127页
    6.2 自支撑Be_2C平面薄膜性质第127-130页
        6.2.1 自支撑薄膜组成分析第128-129页
        6.2.2 自支撑薄膜的显微结构和表面粗糙度第129-130页
        6.2.3 自支撑薄膜的沉积速度和密度第130页
    6.3 Be_2C薄膜缺陷结构及机理分析第130-131页
    6.4 本章小结第131-133页
第七章 结论与展望第133-136页
    7.1 结论第133-135页
    7.2 展望第135页
    7.3 创新点第135-136页
致谢第136-137页
参考文献第137-147页
附录第147页

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