| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第1章 引言 | 第13-25页 |
| ·低温等离子体源概述 | 第13-21页 |
| ·低温、高密度等离子体 | 第13-19页 |
| ·多源组合等离子体 | 第19-21页 |
| ·低温等离子体诊断方法 | 第21-23页 |
| ·静电探针诊断 | 第21-22页 |
| ·微波诊断 | 第22-23页 |
| ·非晶硅薄膜的制备 | 第23-25页 |
| 第2章 加悬浮极单探针诊断方法 | 第25-63页 |
| ·碰撞条件下静电单探针理论概述 | 第25-26页 |
| ·单探针测量原理 | 第26-32页 |
| ·单探针V-I特性曲线 | 第26-29页 |
| ·电子能量分布函数 | 第29-32页 |
| ·单探针测量的遇到的问题 | 第32-50页 |
| ·整体电中性对探针测量的约束 | 第32-40页 |
| ·真空室壁受污染引起的测量问题 | 第40-43页 |
| ·利用探针V-I曲线模型和等效电路模型对两种畸变现象的模拟分析 | 第43-50页 |
| ·加悬浮极单探针测量的实验研究 | 第50-61页 |
| ·实验装置 | 第50-55页 |
| ·模拟和实验分析 | 第55-61页 |
| ·本章总结 | 第61-63页 |
| 第3章 碰撞条件下凹腔型射频感应耦合等离子体的性质 | 第63-91页 |
| ·碰撞条件下单源等离子体性质 | 第63-75页 |
| ·单源等离子体的源区和扩散区 | 第64-65页 |
| ·碰撞条件下单源等离子体的独立性 | 第65-66页 |
| ·单源等离子体扩散区密度分布特性 | 第66-68页 |
| ·单源等离子体扩散区线性损失-扩散模型 | 第68-75页 |
| ·多源组合等离子体性质 | 第75-86页 |
| ·多源组合等离子体密度非线性增强效应 | 第76-78页 |
| ·非线性增强效应的影响因素 | 第78-79页 |
| ·多源组合等离子体扩散区模型 | 第79-84页 |
| ·氦气组合放电实验 | 第84-86页 |
| ·大面积高密度均匀等离子体源的构建方法 | 第86-88页 |
| ·本章总结 | 第88-91页 |
| 第4章 六源组合大面积等离子体源的实验研究 | 第91-119页 |
| ·实验装置 | 第91-97页 |
| ·真空系统 | 第91-92页 |
| ·等离子体产生系统 | 第92-95页 |
| ·诊断系统 | 第95-97页 |
| ·大面积等离子体源的实验结果 | 第97-110页 |
| ·中心点等离子体密度和电子温度随放电参数的变化 | 第97-100页 |
| ·线圈连线上等离子体密度分布 | 第100-107页 |
| ·线圈连线上电子温度分布 | 第107-109页 |
| ·轴向上等离子体密度分布 | 第109-110页 |
| ·实验结果分析 | 第110-117页 |
| ·线圈连线上等离子体密度分布的影响因素 | 第110-112页 |
| ·特征气压 | 第112-114页 |
| ·有效直径32cm的大面积均匀等离子体源 | 第114-115页 |
| ·中心点等离子体密度非线性叠加系数的估算 | 第115-116页 |
| ·六源组合模拟 | 第116-117页 |
| ·本章总结 | 第117-119页 |
| 第5章 非晶硅薄膜材料的制备 | 第119-131页 |
| ·等离子体增强化学气象沉积装置 | 第119-120页 |
| ·非晶硅薄膜的生长机理简介 | 第120-122页 |
| ·薄膜性能的表征方法 | 第122-123页 |
| ·非晶硅薄膜制备的实验研究 | 第123-129页 |
| ·本章总结 | 第129-131页 |
| 第6章 总结及展望 | 第131-137页 |
| ·本文总结 | 第131-135页 |
| ·加悬浮极单探针测量方法 | 第131-132页 |
| ·大面积、高密度均匀等离子体源的构建方法 | 第132-133页 |
| ·六源组合大面积均匀等离子体源的实验研究 | 第133-134页 |
| ·非晶硅薄膜的实验研究 | 第134-135页 |
| ·展望 | 第135-137页 |
| 参考文献 | 第137-143页 |
| 附录 | 第143-151页 |
| 致谢 | 第151-153页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第153页 |