| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| ·热电材料简介 | 第9页 |
| ·材料的热电理论 | 第9-11页 |
| ·塞贝克(Seebeck)效应 | 第9-10页 |
| ·珀耳帖(Peltire)效应 | 第10页 |
| ·汤姆逊(Thomson)效应 | 第10-11页 |
| ·热电材料的种类 | 第11页 |
| ·薄膜制备方法 | 第11-13页 |
| ·分子束外延法 | 第12页 |
| ·化学气相沉积法（CVD) | 第12页 |
| ·溶胶凝胶法(Sol-Gel) | 第12页 |
| ·真空蒸镀法 | 第12页 |
| ·溅射法 | 第12-13页 |
| ·金属硅化物薄膜在微电子技术中的应用与发展 | 第13-14页 |
| ·Cr-Si 系硅化物薄膜在微电子技术中的应用与发展现状 | 第14-15页 |
| ·Cr-Si 系硅化物薄膜在微电子技术中的应用 | 第14页 |
| ·Cr-Si 系硅化物薄膜的研究与发展现状 | 第14-15页 |
| ·Cr-Si 系硅化物薄膜微观结构和电性能的影响因素 | 第15-16页 |
| ·溅射工艺参数的影响 | 第15页 |
| ·热处理工艺的影响 | 第15页 |
| ·薄膜成分的影响 | 第15页 |
| ·衬底类型的影响 | 第15-16页 |
| ·本课题的研究目的及意义 | 第16-17页 |
| 第2章 试验材料及研究方法 | 第17-22页 |
| ·实验材料 | 第17页 |
| ·样品的制备 | 第17-19页 |
| ·镀膜设备 | 第17-18页 |
| ·磁控溅射的特点 | 第18页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第18-19页 |
| ·真空时效处理 | 第19页 |
| ·薄膜的显微结构表征 | 第19-20页 |
| ·膜层的表面形貌和成分 | 第19页 |
| ·膜层的晶体结构和相组成 | 第19-20页 |
| ·薄膜导电性能的检测 | 第20-22页 |
| 第3章 试验结果与分析 | 第22-46页 |
| ·退火工艺对薄膜微观结构的影响 | 第22-24页 |
| ·退火温度对薄膜微观结构的影响 | 第22-23页 |
| ·退火时间对薄膜微观结构的影响 | 第23-24页 |
| ·掺杂 Ti 的摩尔分数对薄膜微观结构及导电性能的影响 | 第24-32页 |
| ·掺杂 Ti 的摩尔分数对表面薄膜形貌的影响 | 第24-26页 |
| ·掺杂 Ti 的摩尔分数对薄膜微观结构的影响 | 第26-28页 |
| ·掺杂 Ti 的摩尔分数对薄膜导电性能的影响 | 第28-32页 |
| ·掺杂 Al 的摩尔分数对薄膜微观结构及导电性能的影响 | 第32-38页 |
| ·掺杂 Al 的摩尔分数对表面薄膜形貌的影响 | 第32-34页 |
| ·掺杂 Al 的摩尔分数制备薄膜的 XRD 谱 | 第34-35页 |
| ·掺杂 Al 的摩尔分数对薄膜导电性能的影响 | 第35-38页 |
| ·退火时间对薄膜显微结构及性能的影响 | 第38-46页 |
| ·退火时间对(Cr,Ti)Si_2薄膜的相组成和微观结构的影响 | 第38-39页 |
| ·退火时间对(Cr,Ti)Si_2薄膜导电性能的影响 | 第39-42页 |
| ·退火时间对(Cr(Si,Al)_2薄膜的相组成和微观结构的影响 | 第42-43页 |
| ·退火时间对 Cr(Si,Al)_2薄膜导电性能的影响 | 第43-46页 |
| 第4章 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 在校研究成果 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |
