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掺杂型TiO2薄膜的RMS法制备及其阻变特性的研究

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 绪论第8-26页
   ·引言第8页
   ·阻变存储器的工作原理第8-9页
   ·阻变存储器的材料体系第9-15页
     ·多元金属氧化物第9-11页
     ·固体电解液材料第11-12页
     ·有机材料第12-13页
     ·二元金属氧化物第13-15页
   ·阻变机理第15-22页
     ·导电细丝机制第16-18页
     ·空间电荷限制电流效应第18-20页
     ·普尔-法兰克效应第20-21页
     ·肖特基发射机制第21-22页
   ·改善阻变元件性能的方法第22-25页
     ·掺杂第22-23页
     ·选择合适的电极材料第23-25页
   ·本文的研究意义及内容第25-26页
第二章 阻变元件的制备及其性能表征方法第26-31页
   ·阻变元件的结构第26页
   ·阻变元件的制备方法第26-29页
     ·磁控溅射第27-28页
     ·阻变元件的制备第28-29页
   ·薄膜和元件的测试与表征第29-31页
     ·表面形貌测试第29页
     ·膜厚测试第29-30页
     ·薄膜成分、价态测试第30页
     ·晶体结构测试第30页
     ·阻变特性测试第30-31页
第三章 TiO_2薄膜的阻变特性研究第31-45页
   ·TiO_2薄膜材料特性表征第31-33页
   ·TiO_2薄膜的阻变特性及机理研究第33-43页
     ·W/TiO_2/ITO元件的阻变特性及其机理分析第33-39页
     ·Cu/TiO_2/ITO元件的阻变特性及其机理分析第39-41页
     ·Al/TiO_2/ITO元件的阻变特性及其机理分析第41-42页
     ·Ti/TiO_2/ITO元件的阻变特性及其机理分析第42-43页
   ·本章小结第43-45页
第四章 Al掺杂TiO_2薄膜的阻变特性研究第45-58页
   ·TiO_2:Al薄膜材料特性表征第45-46页
   ·TiO_2:Al薄膜的阻变特性及机理研究第46-57页
     ·W/TiO_2:Al/ITO元件的阻变特性及机理分析第47-51页
     ·Cu/TiO_2:Al/ITO元件的阻变特性及机理分析第51-54页
     ·Ti/TiO_2:Al/ITO元件的阻变特性及机理分析第54-57页
   ·本章小结第57-58页
第五章 Cu掺杂TiO_2薄膜的阻变特性研究第58-70页
   ·TiO_2:Cu薄膜材料特性表征第58-59页
   ·TiO_2:Cu薄膜的阻变特性及机理研究第59-69页
     ·W/TiO_2:Cu/ITO元件的阻变特性及机理分析第60-64页
     ·Cu/TiO_2:Cu/ITO元件的阻变特性及机理分析第64-65页
     ·Al/TiO_2:Cu/ITO元件的阻变特性及机理分析第65-66页
     ·Ti/TiO_2:Cu/ITO元件的阻变特性及机理分析第66-69页
   ·本章小结第69-70页
第六章 结论第70-72页
参考文献第72-78页
致谢第78-79页
个人简历第79-80页
在学期间的研究成果第80页

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