基于SOI级联双环的耦合谐振腔诱导透明效应的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·基于SOI材料集成光学的发展 | 第8-9页 |
| ·耦合谐振腔诱导透明效应的国内外研究现状 | 第9-13页 |
| ·本文的主要研究内容以及创新点 | 第13-15页 |
| 第二章 基于SOI微环谐振腔的特性分析 | 第15-22页 |
| ·倏逝波的耦合原理 | 第15-16页 |
| ·微环谐振腔的关键参数 | 第16-19页 |
| ·谐振波长和谐振频率 | 第16-17页 |
| ·自由波谱范围 | 第17-18页 |
| ·品质因数Q和精细度F | 第18-19页 |
| ·微环谐振腔的传输特性分析 | 第19-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 谐振腔耦合诱导透明效应原理分析 | 第22-31页 |
| ·双环耦合谐振腔诱导透明效应的产生机理 | 第22-25页 |
| ·双环耦合谐振腔系统各参数对透明峰的影响 | 第25-30页 |
| ·两环的传输系数对CRIT的影响 | 第25-27页 |
| ·两环的透射系数对CRIT的影响 | 第27-29页 |
| ·环周长对CRIT的影响 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 耦合谐振腔诱导透明效应结构的设计与加工 | 第31-46页 |
| ·SOI材料的制备 | 第31-33页 |
| ·智能剥离技术 | 第31-32页 |
| ·硅片键合及背面腐蚀技术 | 第32-33页 |
| ·关键制备工艺介绍 | 第33-41页 |
| ·电子束光刻 | 第33-38页 |
| ·磁控溅射 | 第38页 |
| ·ICP刻蚀工艺 | 第38-40页 |
| ·退火处理 | 第40-41页 |
| ·双环谐振腔结构的制备 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 实验测试与分析 | 第46-52页 |
| ·垂直光栅耦合 | 第46-47页 |
| ·实验平台搭建 | 第47-48页 |
| ·CRIT结构的测试与分析 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 总结与展望 | 第52-54页 |
| ·工作总结 | 第52-53页 |
| ·工作展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
