SRAM存储器总剂量效应研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·SRAM 简述 | 第7-8页 |
| ·SRAM 最新发展 | 第8页 |
| ·空间环境及辐照效应分析 | 第8-10页 |
| ·空间环境 | 第8-9页 |
| ·辐射效应 | 第9-10页 |
| ·SRAM 的总剂量效应研究现状 | 第10-12页 |
| ·国外研究现状 | 第10-11页 |
| ·国内研究现状 | 第11-12页 |
| ·论文主要工作和组织安排 | 第12-13页 |
| 第二章 辐射损伤机理 | 第13-29页 |
| ·Si-SiO_2界面电荷 | 第13-16页 |
| ·可动离子电荷 | 第13-14页 |
| ·界面陷阱电荷 | 第14-15页 |
| ·氧化层固定电荷 | 第15页 |
| ·氧化层陷阱电荷 | 第15-16页 |
| ·SiO_2介质材料辐射损伤机理 | 第16-17页 |
| ·电子-空穴对 | 第16-17页 |
| ·界面态影响 | 第17页 |
| ·MOS 器件电参数变化 | 第17-23页 |
| ·阈值电压 | 第18-19页 |
| ·漏电流 | 第19-21页 |
| ·跨导 | 第21-22页 |
| ·延迟 | 第22-23页 |
| ·总剂量效应影响因素 | 第23-25页 |
| ·总剂量偏置方法 | 第25-26页 |
| ·本章小节 | 第26-29页 |
| 第三章 SRAM 及敏感性分析 | 第29-43页 |
| ·存储单元 | 第30-34页 |
| ·基本操作 | 第31-33页 |
| ·存储单元的辐照失效机制 | 第33-34页 |
| ·灵敏放大器 | 第34-38页 |
| ·灵敏放大器工作原理 | 第34-37页 |
| ·灵敏放大器失效原理 | 第37-38页 |
| ·其他外围电路 | 第38-40页 |
| ·预充电电路 | 第38-39页 |
| ·译码电路 | 第39页 |
| ·地址变化检测电路 | 第39-40页 |
| ·外围电路的总剂量效应 | 第40页 |
| ·IS61LV51216 的总剂量敏感性分析 | 第40-42页 |
| ·本章小节 | 第42-43页 |
| 第四章 SRAM 总剂量试验 | 第43-55页 |
| ·试验方案设计 | 第43-44页 |
| ·硬件设计 | 第44-47页 |
| ·软件设计 | 第47-51页 |
| ·控制代码 | 第48-49页 |
| ·通信代码 | 第49-50页 |
| ·上位机界面 | 第50-51页 |
| ·试验及其结果分析 | 第51-53页 |
| ·试验环境 | 第51页 |
| ·开展试验 | 第51-52页 |
| ·试验结果及分析 | 第52-53页 |
| ·本章小节 | 第53-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| ·工作总结 | 第55页 |
| ·工作展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
