铜铟镓硒薄膜太阳电池的器件仿真
| 中文摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-16页 |
| 第1章 序言 | 第16-29页 |
| 第一节 研究背景与意义 | 第16-17页 |
| 第二节 太阳电池理论研究 | 第17-27页 |
| ·太阳电池模拟研究的发展 | 第17-18页 |
| ·铜铟镓硒电池模拟 | 第18-23页 |
| ·模拟软件 | 第23-27页 |
| 第三节 本论文目标与结构 | 第27-29页 |
| 第2章 太阳电池器件物理基础 | 第29-45页 |
| 第一节 同质 PN 结 | 第29-37页 |
| ·暗态特性 | 第29-32页 |
| ·亮态特性 | 第32-37页 |
| 第二节 异质 PN 结 | 第37-40页 |
| ·异质结结构 | 第37-38页 |
| ·电流电压特性 | 第38-40页 |
| 第三节 等效电路模型 | 第40-45页 |
| ·等效电路 | 第40-42页 |
| ·参数拟合 | 第42-45页 |
| 第3章 CIGS 电池解析模型 | 第45-58页 |
| 第一节 CdS/CIGS 异质结 | 第46-54页 |
| ·界面能带 | 第46-48页 |
| ·费米能级钉扎 | 第48-50页 |
| ·缺陷能级分布 | 第50-52页 |
| ·隧穿效应 | 第52-54页 |
| 第二节 Ga 背梯度 | 第54-57页 |
| 第三节 小结 | 第57-58页 |
| 第4章 太阳电池数值模拟 | 第58-94页 |
| 第一节 基本数值模拟系统 | 第58-68页 |
| ·半导体器件方程 | 第58-60页 |
| ·网格划分 | 第60-61页 |
| ·方程离散化 | 第61-63页 |
| ·求解方法 | 第63-68页 |
| 第二节 太阳电池缺陷 | 第68-76页 |
| ·缺陷基本性质 | 第68-69页 |
| ·缺陷类型 | 第69-76页 |
| ·小结 | 第76页 |
| 第三节 隧穿电流 | 第76-84页 |
| ·带内隧穿 | 第77-82页 |
| ·缺陷辅助隧穿 | 第82-84页 |
| 第四节 光学模型 | 第84-89页 |
| ·光吸收 | 第84-85页 |
| ·界面反射 | 第85-87页 |
| ·绒面结构 | 第87-89页 |
| 第五节 器件表征 | 第89-93页 |
| ·电流电压特性 | 第89-90页 |
| ·量子效率 | 第90-93页 |
| 第六节 本章小结 | 第93-94页 |
| 第5章 CIGS 电池数值模拟 | 第94-120页 |
| 第一节 模拟软件 | 第94-99页 |
| 第二节 CIGS 薄膜材料参数的数值模拟 | 第99-108页 |
| ·CIGS 薄膜载流子浓度 | 第100-105页 |
| ·厚度 | 第105-108页 |
| 第三节 环境参数对 CIGS 电池输出特性的影响 | 第108-114页 |
| ·低温对电池性能的影响 | 第109-112页 |
| ·弱光对 CIGS 电池性能的影响 | 第112-114页 |
| 第四节 Ga 梯度 | 第114-119页 |
| ·实验数据准备 | 第114-115页 |
| ·仿真参数建立 | 第115-118页 |
| ·模拟结果 | 第118-119页 |
| 第五节 本章小结 | 第119-120页 |
| 第6章 总结与展望 | 第120-125页 |
| 第一节 内容总结 | 第120-122页 |
| 第二节 研究展望 | 第122-125页 |
| ·时域瞬态模拟 | 第123页 |
| ·二、三维模拟 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
| 附录 A 求解方程组的追赶法程序 | 第135-138页 |
| 附录 B 带状分布缺陷公式的求解 | 第138-140页 |
| 附录 C 根据 Ga 梯度生成器件模拟文件的程序 | 第140-143页 |
| 个人简历与学术成果 | 第143-144页 |
