60GHz低噪声放大器研究与设计
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| ·基于硅基毫米波集成电路的研究背景 | 第11-15页 |
| ·毫米波集成电路研究背景 | 第11-12页 |
| ·60GHz 研究意义 | 第12-15页 |
| ·低噪声放大器研究现状 | 第15-20页 |
| ·论文的主要内容及安排 | 第20-22页 |
| 第二章 低噪声放大器简介 | 第22-29页 |
| ·低噪声放大器的主要技术指标 | 第22-23页 |
| ·功率增益 | 第22页 |
| ·噪声系数 | 第22-23页 |
| ·阻抗匹配 | 第23页 |
| ·稳定性 | 第23页 |
| ·低噪声放大器的主要结构 | 第23-27页 |
| ·有耗匹配结构 | 第24-25页 |
| ·共栅放大器结构 | 第25页 |
| ·并联-串联反馈结构 | 第25-26页 |
| ·源简并结构 | 第26-27页 |
| ·60GHz 低噪声放大设计考虑 | 第27-29页 |
| ·器件的工作频率接近截止频率 | 第27-28页 |
| ·较小的波长 | 第28页 |
| ·60GHz 寄生效应 | 第28-29页 |
| 第三章 MOS 器件特性与噪声分析 | 第29-38页 |
| ·器件特性 | 第29-34页 |
| ·短沟道 CMOS 特性 | 第29-31页 |
| ·电容特性 | 第31-33页 |
| ·传输线和电感 | 第33-34页 |
| ·噪声理论分析 | 第34-38页 |
| ·双端口噪声特性分析 | 第34-35页 |
| ·MOS 管噪声特性分析 | 第35-36页 |
| ·级联结构噪声性能分析 | 第36-38页 |
| 第四章 电感仿真设计 | 第38-46页 |
| ·电感简介 | 第38-40页 |
| ·电感的频率特性 | 第38页 |
| ·电感值和电阻值 | 第38-39页 |
| ·品质因数 Q | 第39-40页 |
| ·电磁场仿真 | 第40-45页 |
| ·片上螺旋电感的仿真方法 | 第40-45页 |
| ·螺旋电感的仿真结果 | 第45-46页 |
| 第五章 60GHz 低噪声放大器 | 第46-58页 |
| ·低噪声放大器的设计指标 | 第46页 |
| ·电路结构 | 第46-53页 |
| ·静态工作点设计 | 第47-48页 |
| ·电流复用技术 | 第48-50页 |
| ·级间电感引入 | 第50页 |
| ·电路结构的噪声分析 | 第50-52页 |
| ·匹配电路设计 | 第52-53页 |
| ·毫米波版图各单元设计考虑 | 第53-54页 |
| ·电路仿真及结果 | 第54-57页 |
| ·小信号 S 参数仿真 | 第54-55页 |
| ·温度参数仿真 | 第55-56页 |
| ·工艺角参数仿真 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 总结和展望 | 第58-60页 |
| ·本文的工作总结 | 第58-59页 |
| ·存在的问题 | 第59页 |
| ·展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 附录 | 第66-67页 |
| 详细摘要 | 第67-70页 |
