| 论文摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| ·研究背景 | 第17-19页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 压电单晶PMN-PT和PIN-PMN-PT光学性质及其电子能带结构模型 | 第23-71页 |
| ·PMN-PT压电单晶的基本性质及其应用 | 第23-29页 |
| ·PMN-PT压电单晶制备方法概述 | 第24-26页 |
| ·晶体化学和准同型相界畴工程 | 第26-27页 |
| ·畴结构和极化效应 | 第27-28页 |
| ·PMN-PT之后的新型压电单晶 | 第28-29页 |
| ·PMN-PT压电单晶反常电子带间跃迁 | 第29-35页 |
| ·PMN-PT压电单晶低温透射光谱测量 | 第30-33页 |
| ·PMN-PT压电单晶的直接跃迁和间接跃迁 | 第33-34页 |
| ·PMN-PT压电单晶光学禁带宽度和温度的依赖关系 | 第34-35页 |
| ·PIN-PMN-PT压电单晶的电子能带结构模型 | 第35-48页 |
| ·PIN-PMN-PT压电单晶制备和结构表征 | 第37-38页 |
| ·PIN-PMN-PT压电单晶低温光电跃迁 | 第38-40页 |
| ·正常和反常禁带变化电子能带模型Ⅰ：三方相和四方相单相区域的计算 | 第40-41页 |
| ·高PT组分准同型相界区域电子能带模型Ⅱ：稳定的多相共存 | 第41-42页 |
| ·低PT组分准同型相界区域电子能带模型Ⅲ：激烈的多相竞争 | 第42-44页 |
| ·PIN-PMN-PT压电单晶电子能带结构及相变起源 | 第44-48页 |
| ·压电单晶带隙及以上临界点跃迁过程的光谱研究 | 第48-60页 |
| ·PT组分对PIN-PMN-PT和PMN-PT带隙及以上临界点跃迁影响 | 第49-50页 |
| ·温度对PMN-PT压电单晶带隙及以上临界点跃迁的影响 | 第50-56页 |
| ·温度对PIN-PMN-PT压电单晶带隙及以上临界点跃迁的影响 | 第56-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-71页 |
| 第三章 压电单晶晶格振动的光谱研究及相图 | 第71-105页 |
| ·PIN-PMN-PT压电单晶拉曼光谱研究 | 第72-90页 |
| ·准同型相界处PIN-PMN-PT压电单晶拉曼散射研究 | 第72-84页 |
| ·三元PIN-PMN-PT压电单晶相图 | 第84-86页 |
| ·PIN-PMN-PT低频振动模式随温度的变化 | 第86-90页 |
| ·PIN-PMN-PT压电单晶远红外晶格振动分析 | 第90-97页 |
| ·PIN-PMN-PT压电单晶远红外反射光谱 | 第94-95页 |
| ·远红外晶格振动介电常数模型 | 第95-96页 |
| ·PIN-PMN-PT压电单晶光学常数 | 第96-97页 |
| ·PIN-PMN-PT压电单晶结构随温度变化规律 | 第97-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-105页 |
| 第四章 铁电薄膜和导电金属氧化物的光电跃迁 | 第105-127页 |
| ·钙钛矿结构铁电Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的低温光电跃迁 | 第106-113页 |
| ·Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的制备和结晶质量 | 第106-107页 |
| ·Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的低温透射光谱 | 第107-108页 |
| ·Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的低温介电函数 | 第108-111页 |
| ·Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的折射率随温度变化 | 第111页 |
| ·Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的电子振子强度随温度变化 | 第111-113页 |
| ·电场对导电金属氧化物LaNiO_3薄膜光学性质的影响 | 第113-119页 |
| ·LaNiO_3薄膜的生长和结晶质量 | 第113-114页 |
| ·LaNiO_3薄膜反射光谱 | 第114-116页 |
| ·电场对LaNiO_3薄膜介电函数和光电导的影响 | 第116-117页 |
| ·LaNiO_3薄膜电子跃迁振子强度随电场的变化 | 第117-119页 |
| ·本章小结 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-127页 |
| 第五章 用于能量收集的新型铁电器件 | 第127-145页 |
| ·PVDF及其聚合物性质 | 第127-131页 |
| ·PVDF | 第128-129页 |
| ·PVDF四种结构之间的关系 | 第129-130页 |
| ·P(VDF-TrFE)共聚物 | 第130-131页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜定量纳米力学性质测量 | 第131-139页 |
| ·定量材料性质成像 | 第134-135页 |
| ·弹性模量Derjaguin-Muller-Toporov(DMT)模型 | 第135-136页 |
| ·曲线阵列模式和脉冲力模式比较 | 第136-137页 |
| ·退火温度对P(VDF-TrFE)共聚物弹性模量影响 | 第137-139页 |
| ·P(VDF-TrFE)共聚物铁电器件输出性能 | 第139-141页 |
| ·实验仪器介绍 | 第139-140页 |
| ·器件结构 | 第140-141页 |
| ·器件电压电流输出性能 | 第141页 |
| ·本章小结 | 第141-143页 |
| 参考文献 | 第143-145页 |
| 第六章 结论与展望 | 第145-147页 |
| 附录Ⅰ 攻读博士学位期间科研成果清单及奖励 | 第147-151页 |
| 附录Ⅱ 致谢 | 第151-152页 |
