日盲型ZnO真空紫外探测器
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第10-14页 |
| ·紫外探测的意义 | 第11-12页 |
| ·ZnO的意义 | 第12-14页 |
| ·研究动态与发展趋势 | 第14-17页 |
| ·MSM结构的ZnO紫外探测器 | 第14-16页 |
| ·ZnO光电导紫外探测器 | 第14-15页 |
| ·ZnO肖特基结紫外探测器 | 第15-16页 |
| ·ZnO基p-n结型紫外探测器 | 第16页 |
| ·ZnO基异质p-n结紫外探测器 | 第16页 |
| ·ZnO基同质p-n结紫外探侧器 | 第16页 |
| ·发展趋势 | 第16-17页 |
| ·本文主要研究内容和安排 | 第17-18页 |
| 第二章 ZnO薄膜的场发射理论 | 第18-29页 |
| ·场发射理论的定量分析 | 第18-23页 |
| ·掺Al对ZnO薄膜的光学禁带以及场发散性的影响 | 第23-25页 |
| ·ZnO光电阴极的电子发射的理论模拟 | 第25-29页 |
| 第三章 阴极薄膜制备与激活研究 | 第29-44页 |
| ·磁控溅射与直流溅射 | 第29-30页 |
| ·射频磁控溅射系统 | 第30-31页 |
| ·ZnO光阴极的制备 | 第31-33页 |
| ·衬底清洗 | 第31页 |
| ·底电极的制备 | 第31-32页 |
| ·射频磁控溅射制备AZO薄膜 | 第32-33页 |
| ·热蒸发蒸镀Au电极 | 第33页 |
| ·ZnO薄膜性能测试与表征 | 第33-39页 |
| ·生长温度和掺杂浓度对ZnO薄膜结构的影响 | 第33-37页 |
| ·不同掺杂浓度ZnO薄膜透射谱分析 | 第37-39页 |
| ·ZnO光电阴极激活 | 第39-44页 |
| ·阴极激活系统 | 第39-40页 |
| ·ZnO表面的清洁 | 第40-41页 |
| ·阴极的激活 | 第41-44页 |
| ·激活材料的选取 | 第41页 |
| ·激活工艺的实现 | 第41-44页 |
| 第四章 紫外探测器的整管设计与参数测试 | 第44-60页 |
| ·探测器结构设计 | 第44-46页 |
| ·整体结构材料的选定 | 第44-45页 |
| ·管壳设计 | 第45页 |
| ·荧光屏设计 | 第45页 |
| ·阴极设计 | 第45-46页 |
| ·探测器的相关参数 | 第46-48页 |
| ·光谱响应 | 第46页 |
| ·阴极灵敏度 | 第46-47页 |
| ·电子增益 | 第47页 |
| ·暗电流 | 第47页 |
| ·等效背景辐照度与辐射增益 | 第47-48页 |
| ·紫外日盲探测器的参数测试 | 第48-58页 |
| ·系统各部件 | 第48-53页 |
| ·光源的选择 | 第48-49页 |
| ·光的收集器：积分球 | 第49-50页 |
| ·高压稳压电源 | 第50页 |
| ·高灵敏度电流测量设备 | 第50-51页 |
| ·光的控制器：单光栅扫描单色仪及控制器 | 第51-52页 |
| ·PR-880紫外亮度计 | 第52页 |
| ·紫外照度计 | 第52页 |
| ·数据采集器 | 第52-53页 |
| ·微机及专用软件 | 第53页 |
| ·各项基本指标测试原理与方法 | 第53-58页 |
| ·光谱响应范围测试 | 第53-54页 |
| ·阴极灵敏度测试 | 第54-55页 |
| ·电子增益 | 第55页 |
| ·暗电流 | 第55-56页 |
| ·等效背景幅度与辐射增益 | 第56-58页 |
| ·参数测试结果 | 第58-60页 |
| ·光谱响应曲线 | 第58页 |
| ·其他参数数据 | 第58-59页 |
| ·测试结果分析 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第66页 |
