| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 1 概述 | 第10-19页 |
| ·ZnO半导体的特点、性质和研究意义 | 第10-11页 |
| ·纳米ZnO半导体材料的特性及研究价值 | 第11-12页 |
| ·纳米ZnO的光学性质 | 第11页 |
| ·纳米ZnO的电子学性质 | 第11-12页 |
| ·纳米ZnO的制备方法 | 第12-14页 |
| ·气相沉积法 | 第12-13页 |
| ·射频溅射法 | 第13页 |
| ·模板法 | 第13页 |
| ·液相法 | 第13-14页 |
| ·水热合成法制备ZnO纳米材料的研究进展 | 第14-15页 |
| ·本论文研究价值和意义 | 第15-16页 |
| ·本论文的研究内容与创新点 | 第16-19页 |
| 2水热合成法制备取向ZnO半导体纳米线阵列 | 第19-35页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·实验 | 第19-23页 |
| ·实验样品制备 | 第19-20页 |
| ·仪器及其工作原理 | 第20-23页 |
| ·实验结果分析 | 第23-35页 |
| ·氨水浓度对纳米线形貌的影响 | 第23-28页 |
| ·反应时间对纳米线形貌的影响 | 第28-31页 |
| ·反应温度对纳米线形貌的影响 | 第31-35页 |
| 3取向ZnO半导体纳米线阵列的光致发光特性 | 第35-42页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·光致发光机理 | 第35-36页 |
| ·取向ZnO半导体纳米线的PL谱特性测试结果与分析 | 第36-42页 |
| 结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46页 |