| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| ·a-Si：H 薄膜的发展与现状概括 | 第8-9页 |
| ·a-Si：H 薄膜的发展历史 | 第8页 |
| ·a-Si：H 薄膜的发展现状 | 第8-9页 |
| ·a-Si：H 薄膜的基本理论 | 第9-11页 |
| ·a-Si：H 薄膜的结构特点 | 第9-10页 |
| ·a-Si：H 薄膜的光电特性 | 第10-11页 |
| ·a-Si：H 薄膜的 Staebler-Wronski 效应 | 第11页 |
| ·a-Si：H 薄膜的制备方法 | 第11-13页 |
| ·a-Si：H 薄膜的分析测试方法 | 第13-16页 |
| ·FTIR 红外吸收谱 | 第13-14页 |
| ·Raman 散射谱 | 第14-15页 |
| ·紫外-可见透射和反射谱 | 第15-16页 |
| ·本论文研究的目的及内容 | 第16-18页 |
| 第2章 射频磁控溅射制备 a-Si：H 薄膜 | 第18-36页 |
| ·射频溅射原理 | 第18-24页 |
| ·辉光放电的原理 | 第18-20页 |
| ·射频磁控溅射机理 | 第20-24页 |
| ·射频溅射系统 | 第24-25页 |
| ·实验过程 | 第25-33页 |
| ·射频功率对 a-Si：H 薄膜的影响 | 第26-27页 |
| ·衬底温度对 a-Si：H 薄膜的影响 | 第27-29页 |
| ·工作气体中 H2的含量对 a-Si：H 薄膜的影响 | 第29-31页 |
| ·工作气体压强对 a-Si：H 薄膜的影响 | 第31-33页 |
| ·a-Si：H 薄膜的拉曼测试 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第3章 a-Si：H 薄膜紫外-可见透射谱与反射谱的分析 | 第36-44页 |
| ·a-Si：H 的光学带隙的计算 | 第36-41页 |
| ·射频功率对光学带隙的影响 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 a-Si：H 薄膜的椭偏反射法研究 | 第44-56页 |
| ·基本原理 | 第44-46页 |
| ·物理模型 | 第46-48页 |
| ·a-Si：H 薄膜光学性质的椭圆偏振法研究 | 第48-55页 |
| ·a-Si：H 薄膜的厚度 | 第50-52页 |
| ·a-Si：H 薄膜的光学性质 | 第52-53页 |
| ·a-Si：H 薄膜的光学带隙 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
