碲锌镉晶体的缺陷及其退火研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-19页 |
| ·半导体材料的发展 | 第9-11页 |
| ·半导体核辐射探测器的发展 | 第11-15页 |
| ·探测器的种类 | 第11-12页 |
| ·室温半导体核辐射探测器 | 第12-14页 |
| ·CdZnTe晶体及探测器概述 | 第14-15页 |
| ·小结 | 第15-16页 |
| ·本文的选题思路和主要研究内容 | 第16-18页 |
| ·选题思路 | 第16-17页 |
| ·主要研究内容 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-19页 |
| 第二章 碲锌镉晶体的缺陷研究 | 第19-26页 |
| ·CZT单晶体的主要缺陷 | 第19-23页 |
| ·点缺陷 | 第19-20页 |
| ·线缺陷 | 第20-21页 |
| ·面缺陷 | 第21-22页 |
| ·体缺陷 | 第22-23页 |
| ·缺陷形貌观察 | 第23-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第三章 退火前碲锌镉晶体的表征 | 第26-35页 |
| ·碲锌镉晶体的切割加工 | 第26-28页 |
| ·晶片切割方向选择 | 第26页 |
| ·晶片切割 | 第26-27页 |
| ·晶片研磨 | 第27页 |
| ·晶片抛光 | 第27-28页 |
| ·晶片的光学性能测试 | 第28-31页 |
| ·红外透过率测试 | 第28-29页 |
| ·晶片的紫外—可见光吸收谱测试 | 第29-31页 |
| ·晶片的电学性能测试 | 第31-32页 |
| ·电阻率测定 | 第31页 |
| ·I—V特性测试 | 第31-32页 |
| ·晶片的蚀坑观察 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第四章 碲锌镉晶体的退火研究 | 第35-52页 |
| ·晶体退火机制 | 第35-36页 |
| ·固相扩散机制 | 第35页 |
| ·热迁移机制 | 第35-36页 |
| ·退火实验过程 | 第36-39页 |
| ·实验样品 | 第36页 |
| ·退火工艺条件和参数的参数 | 第36-37页 |
| ·退火实验 | 第37-38页 |
| ·实验结果 | 第38-39页 |
| ·晶片退火前后的正电子湮没寿命谱测试 | 第39-44页 |
| ·晶片退火后晶体的光学性能测试 | 第44-46页 |
| ·晶片退火前后晶体的电学性能测试 | 第46-49页 |
| ·退火后晶片的电阻测定 | 第46-47页 |
| ·退火后晶片的I—V特性 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第五章 碲锌镉探测器的制作 | 第52-60页 |
| ·探测器原理 | 第52页 |
| ·能量分辨率 | 第52-54页 |
| ·电荷数统计涨落噪声 | 第53页 |
| ·电荷收集噪声 | 第53-54页 |
| ·电子学系统噪声 | 第54页 |
| ·CdZnTe探测器的制备工艺 | 第54-57页 |
| ·材料选取 | 第54-55页 |
| ·晶片加工 | 第55页 |
| ·表面钝化 | 第55-56页 |
| ·溅射电极 | 第56页 |
| ·探测器封装 | 第56-57页 |
| ·能谱响应测试 | 第57-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第六章 结论和工作建议 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| ·工作建议 | 第61-62页 |
| 作者在读期间发表的论文和参加的科研工作 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
