6H-碳化硅（SiC）辐照特性的低温光致发光研究
| 第一章 综述 | 第1-15页 |
| §1．1 SiC半导体材料 | 第7-9页 |
| 1．1．1 SiC材料基本性质 | 第7-8页 |
| 1．1．2 SiC晶体结构 | 第8-9页 |
| §1．2 SiC的制备 | 第9-11页 |
| 1．2．1 SiC单晶生长 | 第10页 |
| 1．2．2 SiC薄膜的生长 | 第10-11页 |
| §1．3 半导体辐射损伤原理 | 第11-13页 |
| 1．3．1 电子辐照 | 第11-12页 |
| 1．3．2 中子辐照 | 第12-13页 |
| 1．3．3 辐照缺陷对材料的影响 | 第13页 |
| 参考文献 | 第13-15页 |
| 第二章 光致发光谱 | 第15-27页 |
| §2．1 半导体中的发光过程 | 第16-24页 |
| 2．1．1 自由载流子复合——导带-价带复合 | 第16-17页 |
| 2．1．2 自由激子复合 | 第17-19页 |
| 2．1．3 本征带-浅杂质复合 | 第19-20页 |
| 2．1．4 束缚激子复合 | 第20-22页 |
| 2．1．5 施主受主对辐射复合 | 第22-24页 |
| 2．1．6 通过深能级的复合 | 第24页 |
| §2．2 低温光致发光技术 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第三章 6H-SiC辐照退火特性研究 | 第27-39页 |
| §3．1 N型6H-SiC LTPL实验 | 第29-34页 |
| 3．1．1 样品参数及实验设备 | 第29页 |
| 3．1．2 未退火LTPL实验 | 第29-30页 |
| 3．1．3 300—1200℃退火LTPL实验 | 第30-32页 |
| 3．1．4 1500—1650℃退火LTPL实验 | 第32-34页 |
| §3．2 P型6H-SiC LTPL实验 | 第34-36页 |
| 3．2．1 样品参数及实验设备 | 第34页 |
| 3．2．2 LTPL对比实验 | 第34-36页 |
| §3．3 总结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
