| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第1章 密度泛函理论 | 第13-22页 |
| ·Hartree-Fock方程 | 第13-15页 |
| ·密度泛函理论的基础 | 第15-18页 |
| ·Hohenberg-Kohn理论 | 第16-17页 |
| ·Kohn-Sham方程:有效单电子近似 | 第17-18页 |
| ·交换相关能量泛函 | 第18-20页 |
| ·局域自旋密度近似(LSDA) | 第18-19页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第19页 |
| ·杂化泛函 | 第19页 |
| ·LDA+U和自相互作用修正 | 第19-20页 |
| ·密度泛函理论的优势和应用 | 第20页 |
| ·本论文所采用的基于密度泛函理论的计算软件包 | 第20-22页 |
| 第2章 石墨烯的研究进展 | 第22-36页 |
| ·石墨烯的发现 | 第24页 |
| ·石墨烯的制备手段 | 第24-26页 |
| ·石墨烯的空间几何结构 | 第26-27页 |
| ·石墨烯的特殊电子结构 | 第27-30页 |
| ·石墨烯的电子结构的调控性质 | 第30页 |
| ·石墨烯的输运性质 | 第30-33页 |
| ·石墨烯的磁性质 | 第33-34页 |
| ·小结 | 第34-36页 |
| 第3章 石墨烯纳米带的理论研究 | 第36-75页 |
| ·石墨烯纳米带的研究背景 | 第36-38页 |
| ·金属原子链吸附的Armchair石墨烯纳米带的研究 | 第38-49页 |
| ·研究动机 | 第38-40页 |
| ·计算方法与细节 | 第40-41页 |
| ·空间结构和磁结构 | 第41-42页 |
| ·电子结构 | 第42-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| ·电场导致的Zigzag石墨烯纳米带的半金属 | 第49-58页 |
| ·研究动机 | 第50-52页 |
| ·计算方法与细节 | 第52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| ·边界修饰导致的Zigzag石墨烯纳米带的半金属 | 第58-66页 |
| ·研究动机 | 第58-60页 |
| ·计算方法与细节 | 第60-61页 |
| ·NO_2-NH_2的结果 | 第61-62页 |
| ·NO_2-H的结果 | 第62页 |
| ·NO_2-CH_3的结果 | 第62-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| ·BNC杂化纳米带的半金属 | 第66-75页 |
| ·研究动机 | 第66-67页 |
| ·计算方法与细节 | 第67页 |
| ·杂化纳米带的电子结构 | 第67-70页 |
| ·电荷极化和电子自旋极化的竞争 | 第70-73页 |
| ·杂化纳米带的稳定性 | 第73-74页 |
| ·小结 | 第74-75页 |
| 第4章 基于氧化锌的稀磁半导体的理论研究 | 第75-100页 |
| ·稀磁半导体的研究进展 | 第75-80页 |
| ·稀磁半导体的介绍 | 第75-76页 |
| ·稀磁半导体的制备 | 第76页 |
| ·稀磁半导体的研究进展 | 第76-78页 |
| ·稀磁半导体的磁性质和输运性质 | 第78-79页 |
| ·稀磁半导体的应用 | 第79-80页 |
| ·钴掺杂的氧化锌体系 | 第80-92页 |
| ·研究背景 | 第80-82页 |
| ·计算方法与细节 | 第82-83页 |
| ·钴掺杂的氧化锌的结构及磁性 | 第83-86页 |
| ·电子掺杂下的表现 | 第86-88页 |
| ·讨论 | 第88-91页 |
| ·小结 | 第91-92页 |
| ·铜掺杂的氧化锌表面 | 第92-100页 |
| ·研究背景 | 第92-93页 |
| ·计算方法与细节 | 第93页 |
| ·LDA计算的的结构及磁性 | 第93-96页 |
| ·考虑电子相关后的结构及磁性 | 第96-98页 |
| ·小结 | 第98-100页 |
| 第5章 Cs_2AgF_4的理论研究 | 第100-110页 |
| ·研究背景 | 第100-101页 |
| ·高温超导材料的介绍 | 第100-101页 |
| ·Cs_2AgF_4的实验与理论研究 | 第101页 |
| ·计算方法与细节 | 第101-102页 |
| ·GGA的计算结果 | 第102-107页 |
| ·GGA+U的计算结果 | 第107-109页 |
| ·小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第118-119页 |