| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| §1.1 太阳能电池的发展 | 第8-13页 |
| ·光伏产业的发展现状 | 第8-10页 |
| ·太阳能电池的发展趋势 | 第10-13页 |
| §1.2 非晶硅薄膜太阳能电池的研究现状及其发展方向 | 第13-15页 |
| §1.3 本论文的主要研究内容及组织 | 第15-17页 |
| ·本论文的研究内容 | 第15-16页 |
| ·本论文的组织 | 第16-17页 |
| 第二章 非晶硅薄膜材料的特性及其制备方法 | 第17-34页 |
| §2.1 非晶态半导体的特性 | 第18-26页 |
| ·非晶态半导体的结构特性 | 第18-19页 |
| ·非晶态半导体材料的电学特性 | 第19-23页 |
| ·非晶态半导体的光学特性 | 第23-26页 |
| §2.2 非晶硅薄膜材料的制备及性能测试 | 第26-34页 |
| ·非晶硅薄膜材料的制备原理和方法 | 第26-27页 |
| ·辉光放电制备非晶硅薄膜材料的原理 | 第27-30页 |
| ·本论文实验中所用的设备 | 第30-32页 |
| ·非晶硅薄膜材料性能的测试 | 第32-34页 |
| 第三章 非晶硅薄膜太阳电池的原理及其制备方法 | 第34-42页 |
| §3.1 非晶硅薄膜太阳电池的原理 | 第34-39页 |
| ·a-Si:H薄膜太阳电池的基本原理 | 第34-36页 |
| ·a-Si:H薄膜太阳电池的性能参数 | 第36-38页 |
| ·a-Si:H薄膜太阳电池的基本结构 | 第38-39页 |
| §3.2 非晶硅薄膜太阳电池的制备和测试方法 | 第39-42页 |
| ·pin a-Si:H薄膜太阳能电池的制备 | 第39-41页 |
| ·pin a-Si:H薄膜太阳能电池的性能测试 | 第41-42页 |
| 第四章 pin单结a-Si:H薄膜太阳电池各层材料的制备及工艺选择 | 第42-55页 |
| §4.1 p、n层材料的制备及工艺选择 | 第42-47页 |
| ·p、n层的作用 | 第42-43页 |
| ·掺杂浓度对p层μC-Si:H材料的影响 | 第43-46页 |
| ·掺杂浓度对n层a-Si:H材料性能的影响 | 第46-47页 |
| §4.2 i层材料的制备及工艺选择 | 第47-54页 |
| ·i层的重要性 | 第47-48页 |
| ·衬底温度对i层a-Si:H材料性能的影响 | 第48-51页 |
| ·射频功率对i层a-Si:H材料性能的影响 | 第51-54页 |
| §4.3 小结 | 第54-55页 |
| 第五章 I层厚度对pin单结a-Si:H薄膜太阳电池的性能影响 | 第55-61页 |
| §5.1 电池的制备结果及分析 | 第55-56页 |
| §5.2 i层厚度对电池性能的影响研究 | 第56-60页 |
| ·i层厚度对V_(OC)的影响 | 第57页 |
| ·i层厚度对J_(SC)的影响 | 第57-58页 |
| ·i层厚度对F的影响 | 第58-59页 |
| ·i层厚度对η的影响 | 第59-60页 |
| §5.3 小结 | 第60-61页 |
| 第六章 总结及展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 硕士研究生期间参与的研究课题 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
