| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 1 绪论 | 第12-23页 |
| ·GaN的物理性质 | 第12-14页 |
| ·GaN的化学性质 | 第14页 |
| ·GaN的电学性质 | 第14-15页 |
| ·GaN的光学性质 | 第15页 |
| ·衬底材料的选择 | 第15-18页 |
| ·常规衬底选择 | 第16-18页 |
| ·廉价衬底选择 | 第18页 |
| ·GaN的应用 | 第18-22页 |
| ·微电子器件 | 第18-20页 |
| ·光电子器件 | 第20-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 2 GaN薄膜外延生长方法和影响薄膜外延的因素 | 第23-27页 |
| ·GaN薄膜的外延生长方法 | 第23-25页 |
| ·氢化物气相外延(HVPE) | 第23页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第23-24页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第24-25页 |
| ·影响GaN薄膜结构和成核的因素 | 第25-26页 |
| ·衬底温度 | 第25-26页 |
| ·反应源流速 | 第26页 |
| ·微波功率 | 第26页 |
| ·衬底材料 | 第26页 |
| ·反应室真空度 | 第26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 3 实验过程和分析方法 | 第27-43页 |
| ·实验设备 | 第27-31页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·电子回旋共振-等离子增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD) | 第27-28页 |
| ·ESPD-U的总体结构及特征 | 第28-31页 |
| ·样品的制备 | 第31-33页 |
| ·衬底准备 | 第31-32页 |
| ·实验设计 | 第32页 |
| ·实验步骤 | 第32-33页 |
| ·薄膜的表征 | 第33-42页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED) | 第33-36页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第36-37页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第37-39页 |
| ·霍尔(Hall)效应 | 第39-40页 |
| ·光致发光(PL)谱 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 4 结果与讨论 | 第43-63页 |
| ·不同沉积温度下GaN薄膜的性能分析 | 第43-50页 |
| ·GaN薄膜的制备参数 | 第43页 |
| ·结果与分析 | 第43-49页 |
| ·沉积温度对GaN薄膜结晶特性的影响 | 第43-47页 |
| ·沉积温度对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第47-48页 |
| ·沉积温度对GaN薄膜的电学性能的影响 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| ·不同氮气流量下GaN薄膜的性能分析 | 第50-57页 |
| ·GaN薄膜的制备参数 | 第50页 |
| ·结果与分析 | 第50-56页 |
| ·氮气流量对GaN薄膜结晶特性的影响 | 第50-53页 |
| ·氮气流量对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第53-55页 |
| ·氮气流量对GaN薄膜的电学性能的影响 | 第55页 |
| ·氮气流量对GaN薄膜的光学性能的影响 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| ·不同Ⅴ/Ⅲ下GaN薄膜的性能分析 | 第57-63页 |
| ·GaN薄膜的制备参数 | 第57-58页 |
| ·结果与分析 | 第58-62页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ对GaN薄膜结晶特性的影响 | 第58-60页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第60-61页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ对GaN薄膜电学特性的影响 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |