| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-13页 |
| ·概述 | 第9-10页 |
| ·Poly-Si薄膜的主要应用 | 第10-11页 |
| ·Poly-Si薄膜晶体管 | 第10-11页 |
| ·Poly-Si薄膜太阳电池 | 第11页 |
| ·本论文主要研究内容及特色 | 第11-13页 |
| ·论文主要研究内容 | 第11-12页 |
| ·论文研究工作特色 | 第12-13页 |
| 2 Poly-Si薄膜的成核与成长 | 第13-20页 |
| ·Poly-Si薄膜的成核理论 | 第13-15页 |
| ·影响Poly-Si薄膜结构和成核的因素 | 第15-17页 |
| ·反应源流速 | 第16页 |
| ·沉积原子的动能 | 第16页 |
| ·衬底温度 | 第16页 |
| ·衬底结构 | 第16-17页 |
| ·薄膜的生长模式 | 第17-19页 |
| ·核生长模式 | 第17页 |
| ·层状生长模式 | 第17-18页 |
| ·层核生长模式 | 第18-19页 |
| ·Poly-Si薄膜的外延生长 | 第19页 |
| ·小结 | 第19-20页 |
| 3 Poly-Si薄膜的制备与表征 | 第20-36页 |
| ·Poly-Si薄膜的低温制备方法 | 第20-26页 |
| ·在衬底上间接沉积Poly-Si薄膜 | 第20页 |
| ·固相晶化(SPC)法 | 第20-24页 |
| ·在衬底上直接沉积Poly-Si薄膜 | 第24-25页 |
| ·采用新的原材料 | 第25-26页 |
| ·Poly-Si薄膜材料分析方法 | 第26-34页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED) | 第26-29页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第29-31页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第31-32页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第32-34页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第34页 |
| ·小结 | 第34-36页 |
| 4 低温下Poly-Si薄膜的ECR-PECVD生长实验过程 | 第36-44页 |
| ·ECR-PECVD低温沉积系统 | 第36-42页 |
| ·微波ECR等离子体技术 | 第36-39页 |
| ·ECR-PECVD系统(ESPD) | 第39-41页 |
| ·红外测温系统的工作原理 | 第41-42页 |
| ·实验过程、样品的制备 | 第42-43页 |
| ·衬底准备 | 第42页 |
| ·实验设计 | 第42-43页 |
| ·实验步骤 | 第43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 5 实验结果及讨论 | 第44-56页 |
| ·在硅单晶上沉积Poly-Si薄膜 | 第44-48页 |
| ·SiH_4流量对Poly-Si薄膜晶化的影响 | 第44-45页 |
| ·H_2流量对Poly-Si薄膜晶化的影响 | 第45-46页 |
| ·温度对Poly-Si薄膜晶化的影响 | 第46-48页 |
| ·在普通玻璃上沉积Poly-Si薄膜 | 第48-55页 |
| ·缓冲层的意义 | 第48页 |
| ·缓冲层对Poly-Si薄膜的影响 | 第48-50页 |
| ·缓冲层H_2流量对Poly-Si薄膜的影响 | 第50-53页 |
| ·缓冲层生长温度对Poly-Si薄膜的影响 | 第53-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |