MEMS高g值加速度传感器研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·课题研究背景和意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究发展状况 | 第10-16页 |
| ·国外研究发展现状 | 第10-13页 |
| ·国内研究发展现状 | 第13-16页 |
| ·论文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 高g值加速度传感器的结构设计及理论分析 | 第17-32页 |
| ·引言 | 第17-18页 |
| ·敏感元件结构设计 | 第18-26页 |
| ·结构应力分析 | 第19-22页 |
| ·固有频率分析 | 第22-23页 |
| ·阻尼分析 | 第23-26页 |
| ·结构优化设计 | 第26-29页 |
| ·优化原则 | 第26页 |
| ·优化分析 | 第26-29页 |
| ·二阶系统分析 | 第29-32页 |
| ·正弦输入响应 | 第30-31页 |
| ·冲击响应 | 第31-32页 |
| 第三章 高g值加速度传感器的有限元仿真分析 | 第32-48页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·静态仿真 | 第33-35页 |
| ·有限元建模 | 第33页 |
| ·结果分析 | 第33-35页 |
| ·模态仿真 | 第35-37页 |
| ·模态分析 | 第35-36页 |
| ·响应时间分析 | 第36-37页 |
| ·瞬态动力学仿真 | 第37-38页 |
| ·压阻元件设计 | 第38-48页 |
| ·压阻效应原理 | 第38-41页 |
| ·压阻结构 | 第41-42页 |
| ·压阻布置及结构参数确定 | 第42-45页 |
| ·压阻电桥连接设计 | 第45-46页 |
| ·电桥输出及灵敏度 | 第46-48页 |
| 第四章 高g值加速度传感器的制作 | 第48-62页 |
| ·工艺流程设计 | 第48-51页 |
| ·设计原则 | 第48-49页 |
| ·工艺流程确定 | 第49-51页 |
| ·版图设计 | 第51-54页 |
| ·版图设计原则 | 第51-52页 |
| ·版图设计说明 | 第52-54页 |
| ·工艺流程中的关键工艺 | 第54-62页 |
| ·压阻工艺 | 第55-56页 |
| ·KOH腐蚀 | 第56-59页 |
| ·ICP刻蚀 | 第59-60页 |
| ·键合工艺 | 第60-62页 |
| 第五章 高g值加速度传感器的封装和测试 | 第62-74页 |
| ·封装 | 第62-64页 |
| ·封装中需要注意的问题 | 第62-63页 |
| ·高g值加速度传感器的封装 | 第63-64页 |
| ·传感器参数测试 | 第64-65页 |
| ·压阻参数测试 | 第64页 |
| ·残余应力测试 | 第64-65页 |
| ·传感器动态测试 | 第65-74页 |
| ·马歇特冲击对比校准试验 | 第66-71页 |
| ·霍普金森（Hopkinson）激光干涉冲击试验 | 第71-74页 |
| 第六章 总结 | 第74-77页 |
| ·工作总结 | 第74页 |
| ·结构改进 | 第74-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
