| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·纳米科学技术及其发展 | 第10页 |
| ·SiO_2纳米线研究概述 | 第10-11页 |
| ·SiO_2的性质及应用 | 第11-13页 |
| ·SiO_2的基本性质 | 第11页 |
| ·SiO_2的特殊性质 | 第11-13页 |
| ·纳米 SiO_2的应用 | 第13页 |
| ·SiO_2纳米线的制备方法 | 第13-17页 |
| ·本论文的选题依据 | 第17-20页 |
| 第二章 实验设备与测试方法 | 第20-30页 |
| ·实验设备 | 第20-23页 |
| ·溅射设备—JCK-500A 型磁控溅射仪 | 第20-22页 |
| ·退火设备-高温管式炉 | 第22-23页 |
| ·实验材料 | 第23页 |
| ·实验材料和气体 | 第23页 |
| ·衬底的预处理 | 第23页 |
| ·样品的测试和表征 | 第23-30页 |
| ·表面形貌测试-扫描电子显微镜（SEM） | 第23-25页 |
| ·成分分析-X 射线衍射（XRD）和 X 射线光电子能谱（XPS） | 第25-27页 |
| ·光学测试-光致发光（PL）、傅里叶红外吸收（FTIR） | 第27-30页 |
| 第三章 不同 Si 源和生长条件对 SiO_2纳米线形貌的影响 | 第30-36页 |
| ·SiO_2纳米线的制备 | 第30页 |
| ·Si 源对 SiO_2纳米线形貌的影响 | 第30-31页 |
| ·退火温度对 SiO_2纳米线形貌的影响 | 第31-32页 |
| ·退火时间对 SiO_2纳米线形貌的影响 | 第32-34页 |
| ·衬底对 SiO_2纳米线形貌的影响 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 磁控溅射和退火法制备长直 SiO_2纳米线、纳米花以及纳米灯笼 | 第36-48页 |
| ·新奇 SiO_2纳米线的制备 | 第36-37页 |
| ·长直纳米线的测试及表征 | 第37-41页 |
| ·纳米花和纳米灯笼的测试和表征 | 第41-45页 |
| ·SiO_2纳米线的生长机理的研究 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 全文总结 | 第48-52页 |
| ·本文的主要研究成果 | 第48-50页 |
| ·对今后工作的建议 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 在学期间发表的学术论文 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
