| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第1 章 绪论 | 第13-24页 |
| ·课题的意义 | 第13-14页 |
| ·材料设计 | 第14-15页 |
| ·Si 和Ge 及其合金的研究现状和应用发展趋势 | 第15-22页 |
| ·Si 和Ge 的研究情况及应用 | 第16-18页 |
| ·SiGe 二元合金的研究与应用 | 第18页 |
| ·GeSn 二元合金的研究与应用 | 第18-20页 |
| ·SiC 的研究与应用 | 第20-21页 |
| ·SiGe 三元合金的研究情况 | 第21-22页 |
| ·课题研究内容及预期目标 | 第22-24页 |
| 第2 章 计算机模拟理论基础 | 第24-44页 |
| ·固体的量子理论 | 第24-26页 |
| ·Schr?dinger 方程和多电子体系 | 第24-26页 |
| ·Brillouin 区中对称点与自由电子能带 | 第26页 |
| ·量子化学计算方法 | 第26-29页 |
| ·分子动力学方法主要技术概要 | 第29-30页 |
| ·基于第一性原理的主要计算方法 | 第30-35页 |
| ·密度泛函理论 | 第31-33页 |
| ·Car-Parrinello 方法 | 第33-34页 |
| ·准粒子方程与GW 近似 | 第34-35页 |
| ·电子能带计算 | 第35-36页 |
| ·半导体材料设计 | 第36-40页 |
| ·半导体晶体结构和电子能带结构 | 第37-39页 |
| ·电子能带结构和半导体物理性质 | 第39-40页 |
| ·材料设计的计算机模拟软件 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第3 章 Si、Ge 及其合金压力下的相变与电子结构 | 第44-69页 |
| ·Si 和Ge 静态压力下的相结构与相变压力的计算机模拟 | 第44-53页 |
| ·Si 和Ge 的结构参数和相变压力模拟 | 第44-51页 |
| ·GGA 和LDA 不同计算设置的结果比较 | 第51-53页 |
| ·Ge 的R8 相压力下电子结构的模拟 | 第53-57页 |
| ·高压下SiGe 固溶体亚稳相的组分依赖 | 第57-60页 |
| ·Si_(50)Ge_(50) 合金高压相变与能带结构模拟 | 第60-64页 |
| ·SiGe 合金的能隙和能带结构 | 第64-68页 |
| ·未应变SiGe 合金(体材料)的能带 | 第65-66页 |
| ·应变对SiGe 合金能带结构的影响 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第4 章 GeSn 合金的电子和光学性质及压力下的能带结构 | 第69-83页 |
| ·有序GeSn 合金的晶体结构及电子性质模拟 | 第69-77页 |
| ·GeSn 合金的模拟设置 | 第69-70页 |
| ·GeSn 合金的晶体结构和电子能带模拟 | 第70-77页 |
| ·Ge_(1-x)Sn_x 合金的组分对电子能带的影响 | 第77-79页 |
| ·GeSn 合金的光学性质模拟 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 第5 章 SiC 多型的结构和电子性质及高压相变的研究 | 第83-105页 |
| ·SiC 的多型性 | 第83-84页 |
| ·SiC 多型的布里渊区 | 第84-85页 |
| ·SiC 多型的晶体结构和能带结构 | 第85-89页 |
| ·SiC 多型的光学性质 | 第89-97页 |
| ·3C-SiC 的光学性质 | 第89-92页 |
| ·6H-SiC 的光学性质 | 第92-94页 |
| ·4H-SiC 的光学性质 | 第94-97页 |
| ·SiC 多型的高压相变模拟 | 第97-104页 |
| ·SiC 高压研究的意义及其应用 | 第97-99页 |
| ·SiC 的高压相变研究 | 第99-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 结论 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-115页 |
| 攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第115-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 作者简介 | 第118页 |
