| 第一章 绪论 | 第1-21页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·ZnO 材料的基本性质 | 第10-16页 |
| ·一个实现ZnO 的P 型掺杂实验方案的讨论 | 第16-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 薄膜材料生长技术、器件制作工艺及分析方法 | 第21-37页 |
| ·薄膜含义及薄膜的性质 | 第21页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第21-31页 |
| ·光刻工艺简介 | 第31-32页 |
| ·金属化工艺简介 | 第32-34页 |
| ·材料与器件的分析方法简介 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第三章 溶胶-凝胶法生长的ZnO 薄膜光学性质及光电性质研究 | 第37-52页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·厚度对溶胶-凝胶法生长的ZnO 薄膜光学性质影响研究 | 第37-45页 |
| ·ZnO 薄膜的光电响应研究 | 第45-50页 |
| ·本章小节 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第四章 ZnO 肖特基二极管的制作与研究 | 第52-65页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·金属－半导体接触的能带关系 | 第52-54页 |
| ·电流输运机理 | 第54-56页 |
| ·ZnO 肖特基接触研究 | 第56-60页 |
| ·ZnO 的肖特基二极管的制作、实验结果与讨论 | 第60-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 第五章 ZnO 薄膜晶体管制作与研究 | 第65-86页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·ZnO 薄膜晶体管研究现状 | 第66-68页 |
| ·TFTs 物理结构及坐标的建立 | 第68页 |
| ·TFTs 工作原理及I－V 特性 | 第68-73页 |
| ·亚阈值特性 | 第73-75页 |
| ·ZnO 薄膜晶体管的制作及问题讨论 | 第75-77页 |
| ·激光分子束外延法制作ZnO 薄膜晶体管 | 第77-79页 |
| ·射频溅射法制作ZnO 薄膜晶体管 | 第79-82页 |
| ·一个提高ZnOTFT 迁移率的实验方案 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第六章 结论与展望 | 第86-88页 |
| 致谢 | 第88页 |