硅太阳能电池研究
| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 引言和研究目标 | 第10-13页 |
| ·问题的说明 | 第10-11页 |
| ·研究目标 | 第11-12页 |
| ·从成本角度考虑 | 第11页 |
| ·从效率角度考虑 | 第11-12页 |
| ·论文的结构 | 第12-13页 |
| 第二章 硅太阳电池的器件物理学 | 第13-26页 |
| ·p-n结的理论基础 | 第13-17页 |
| ·半导体的能带理论和掺杂原理 | 第13-15页 |
| ·载流子的运动和p-n结的形成 | 第15-17页 |
| ·p-n结的数学模型 | 第17-23页 |
| ·基本方程 | 第17-18页 |
| ·平衡下的p-n结 | 第18-20页 |
| ·外加电压下的p-n结 | 第20-22页 |
| ·光照下的p-n结 | 第22-23页 |
| ·硅太阳电池特征 | 第23-25页 |
| ·硅太阳电池参数 | 第23-24页 |
| ·光照下的硅太阳电池的等效电路和输出功率 | 第24-25页 |
| ·小结 | 第25-26页 |
| 第三章 EFG带状硅太阳电池 | 第26-31页 |
| ·EFG法的原理 | 第26-27页 |
| ·EFG法的特点 | 第27页 |
| ·EFG带状硅片的性质 | 第27-28页 |
| ·结晶性 | 第27-28页 |
| ·电特性 | 第28页 |
| ·EFG带状硅太阳电池的发展现状 | 第28-30页 |
| ·EFG带状硅太阳电池的成本分配 | 第28页 |
| ·EFG带状硅的生产水平 | 第28-30页 |
| ·EFG带状硅生长技术的发展方向 | 第30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第四章 硅太阳电池的快速热处理技术 | 第31-39页 |
| ·RTP系统的基本原理 | 第31-34页 |
| ·黑体辐射与钨卤灯的光谱性质 | 第31-33页 |
| ·硅片的快速加热原理 | 第33页 |
| ·RTP系统原理图 | 第33-34页 |
| ·RTP系统的优势 | 第34-35页 |
| ·RTP系统在硅太阳电池处理中的应用 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37-39页 |
| 第五章 硅太阳电池的复合机制和表面钝化技术 | 第39-47页 |
| ·复合理论的基础知识 | 第39-40页 |
| ·非平衡载流子的注入与复合 | 第39-40页 |
| ·非平衡载流子的寿命、复合几率和复合率 | 第40页 |
| ·复合理论 | 第40-44页 |
| ·直接复合 | 第41-42页 |
| ·间接复合 | 第42-43页 |
| ·表面复合 | 第43-44页 |
| ·硅太阳电池的表面钝化技术 | 第44-45页 |
| ·SiO_2的性质和制备 | 第44-45页 |
| ·Si_3N_4的性质和制备 | 第45页 |
| ·SiO_2和Si_3N_4钝化硅太阳电池的原理 | 第45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第六章 多晶硅太阳电池的绒面处理技术 | 第47-51页 |
| ·酸腐蚀法制备多晶硅绒面的基本原理 | 第47页 |
| ·酸腐蚀产生多晶硅绒面的过程 | 第47-49页 |
| ·酸腐蚀处理后的多晶硅片表面特征 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第七章 硅片参数对光电流密度的影响 | 第51-61页 |
| ·单色光的光电流计算 | 第51-53页 |
| ·硅片参数的模拟实验中使用的电池模型 | 第53-54页 |
| ·硅片参数的模拟实验 | 第54-59页 |
| ·实验目的 | 第54页 |
| ·实验方法和工具 | 第54页 |
| ·实验结果 | 第54-59页 |
| ·实验结论 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第八章 硅太阳电池单层减反射膜的设计 | 第61-69页 |
| ·单层减反射膜的结构和反射率的评价公式 | 第61-63页 |
| ·减反射膜的参数对平均反射率影响的模拟实验 | 第63-66页 |
| ·实验目的 | 第63页 |
| ·实验方法和工具 | 第63页 |
| ·实验结果 | 第63-66页 |
| ·实验结论 | 第66-67页 |
| ·小结 | 第67-69页 |
| 第九章 总结和展望 | 第69-71页 |
| ·全文总结 | 第69-70页 |
| ·展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 附录A AM1.5 时太阳光光子流密度 | 第75-77页 |
| 附录B 符号一览表 | 第77-81页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
