| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| ·课题研究意义及国内外研究动态 | 第8-10页 |
| ·课题来源及研究内容 | 第10-12页 |
| 2 理论分析 | 第12-22页 |
| ·SiGeC 合金材料基本特性 | 第12-16页 |
| ·异质结电流输运机制 | 第16-20页 |
| ·p+(SiGeC)-n~--n~+异质结功率二极管结构及工作原理 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 3 物理模型及模型参数的设定 | 第22-28页 |
| ·能带模型 | 第22-24页 |
| ·迁移率模型 | 第24-25页 |
| ·态密度模型和本征载流子浓度 | 第25-26页 |
| ·能带窄化模型 | 第26页 |
| ·载流子复合与寿命 | 第26-27页 |
| ·介电常数模型 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 4 p~+(SiGeC)-n~--n~+功率二极管特性模拟与优化设计 | 第28-38页 |
| ·p+(SiGeC)-n~--n~+异质结功率二极管特性模拟与分析 | 第28-32页 |
| ·正向I-V 特性模拟与分析 | 第28-30页 |
| ·反向I-V 特性模拟与分析 | 第30-31页 |
| ·反向恢复电流的模拟与分析 | 第31-32页 |
| ·p+区厚度不同对两种功率二极管器件特性的影响 | 第32-34页 |
| ·Ge:C 含量比例优化 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 5 p~+(SiGeC)-n~--n~+二极管新结构的研究 | 第38-51页 |
| ·理想欧姆接触型p~+(SiGeC)-n~--n~+异质结功率二极管 | 第38-45页 |
| ·特性模拟与分析 | 第38-41页 |
| ·优化设计 | 第41-45页 |
| ·n~-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型p~+(SiGeC)-n~--n~+异质结功率二极管 | 第45-50页 |
| ·特性模拟与分析 | 第45-48页 |
| ·n~-区渐变层数优化设计 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 6 验证与结论 | 第51-55页 |
| ·模型的验证 | 第51-52页 |
| ·模拟结果的验证 | 第52-53页 |
| ·结论与展望 | 第53-55页 |
| 致 谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 硕士期间发表论文及获得奖励 | 第60页 |
