| 第1章 引言 | 第1-16页 |
| ·半导体器件模拟的现状及存在的问题 | 第9-14页 |
| ·半导体器件模拟的意义 | 第14-15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-16页 |
| 第2章 理论基础 | 第16-23页 |
| ·半导体器件基本方程 | 第16-17页 |
| ·边界条件 | 第17-18页 |
| ·Adomian理论 | 第18-20页 |
| ·Adomian多项式的求解 | 第20-23页 |
| 第3章 分解理论在二极管模拟中的应用 | 第23-34页 |
| ·PN结二极管载流子分布的计算机模拟 | 第23-31页 |
| ·用分解理论对二极管进行模拟 | 第23-27页 |
| ·产生率与复合率 | 第27-28页 |
| ·边界条件 | 第28-30页 |
| ·载流子浓度分布 | 第30-31页 |
| ·二极管的伏安特性 | 第31-34页 |
| 第4章 分解理论在SOI MOSFET静态特性研究中的应用 | 第34-55页 |
| ·SOI MOSFET概论 | 第34-38页 |
| ·SOI MOSFET静态特性分析 | 第38-55页 |
| ·模型的建立 | 第38页 |
| ·模型分析 | 第38-43页 |
| ·阈值电压 | 第43-44页 |
| ·输出特性 | 第44-53页 |
| ·转移特性 | 第53-55页 |
| 第5章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 致谢与声明 | 第59-60页 |
| 在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第60页 |