| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·磁三明治材料及其基本结构 | 第11-13页 |
| ·自旋电子器件的研究状况 | 第13-18页 |
| ·MRAM的应用前景及存在的挑战 | 第18-19页 |
| ·磁三明治材料在MRAM器件应用中存在的问题 | 第19-21页 |
| ·本论文的主要内容和研究方法 | 第21-23页 |
| 第二章 磁性多层膜自旋电子输运理论模型研究 | 第23-41页 |
| ·自旋通道的mott二流体模型 | 第23-25页 |
| ·C-B唯象理论的基本模型) | 第25-28页 |
| ·C-B模型的改进对其在多层膜巨磁阻振荡效应分析 | 第28-33页 |
| ·C-B五层模型的拓展及其在磁三明治结构中的应用 | 第33-38页 |
| ·磁三明治结构微磁学模型建立 | 第38-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第三章 单层膜单元和MRAM单元磁化翻转特性的有限元微磁学析 | 第41-65页 |
| ·有限元微磁学方法及其有效场拓展 | 第41-44页 |
| ·磁单元制作、磁畴观察及其数值模拟方法 | 第44-48页 |
| ·椭圆形NiFe薄膜单元翻转行为的理论模拟和实验研究 | 第48-55页 |
| ·亚微米超薄MRAM磁三明治单元的磁化翻转行为研究 | 第55-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第四章 基于非晶态钴基软磁薄膜的磁三明治结构及其性能研究 | 第65-93页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·非晶软磁薄膜优良性能的来源—畴壁模型 | 第66-68页 |
| ·非晶态CoNbZr薄膜的基本性能研究 | 第68-72页 |
| ·非晶磁三明治的巨磁阻效应、热稳定性和微结构研究 | 第72-86页 |
| ·微米尺度CoNbZr/Co/Cu/Co磁三明治单元的自旋电子性能 | 第86-92页 |
| ·小结 | 第92-93页 |
| 第五章 快速(循环)退火对磁三明治微观结构和磁阻性能的改善 | 第93-111页 |
| ·快速(循环)退火方法的特点和实验装置 | 第93-95页 |
| ·快速循环退火方法制备NiFe/Ag不连续膜 | 第95-96页 |
| ·快速退火对非晶磁三明治微结构和磁阻性能的影响 | 第96-106页 |
| ·快速循环退火对磁三明治磁阻性能的影响 | 第106-109页 |
| ·快速(循环)退火纳米晶化机理分析 | 第109-110页 |
| ·小结 | 第110-111页 |
| 第六章 MRAM存储单元设计、制作和应用特性研究 | 第111-129页 |
| ·MRAM存储单元设计 | 第111-119页 |
| ·3×3MRAM单元阵列的制作 | 第119-121页 |
| ·亚微米Co基磁三明治单元的磁畴结构和应用特性 | 第121-128页 |
| ·小结 | 第128-129页 |
| 第七章 总结和展望 | 第129-133页 |
| ·论文主要工作总结 | 第129-131页 |
| ·展望 | 第131-133页 |
| 参考文献 | 第133-139页 |
| 致谢 | 第139-141页 |
| 读博期间发表的论文 | 第141-142页 |
