| 第一章 前言 | 第1-24页 |
| ·硅基微电子技术的发展概述 | 第10-11页 |
| ·SOI技术的发展 | 第11-18页 |
| ·SOI基本概念 | 第12-13页 |
| ·SOI技术的优势 | 第13-14页 |
| ·SOI材料制备技术进展 | 第14-18页 |
| ·SOI器件中存在的若干的物理问题 | 第18-22页 |
| ·自加热效应 | 第19-20页 |
| ·翘曲效应(Kink effect) | 第20-21页 |
| ·寄生双极晶体管效应 | 第21页 |
| ·浮体效应 | 第21-22页 |
| ·SOI材料的新应用 | 第22页 |
| ·本课题研究背景及立题依据 | 第22-23页 |
| ·本课题主要创新点 | 第23-24页 |
| 第二章 离子束辅助沉积(IBAD)制备氮化铝薄膜及表征 | 第24-44页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·薄膜材料的选择 | 第24-25页 |
| ·AlN 薄膜材料生长 | 第25-28页 |
| ·离子束辅助沉积(IBAD)机理 | 第25-27页 |
| ·实验过程 | 第27-28页 |
| ·AlN 薄膜材料表征 | 第28-42页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第28-29页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第29-31页 |
| ·原子力显微镜分析 | 第31-32页 |
| ·傅里叶红外光谱分析 | 第32-33页 |
| ·X 射线光电能谱分析 | 第33-37页 |
| ·俄歇电子能谱仪 | 第37-38页 |
| ·AlN 薄膜电学表征 | 第38-42页 |
| ·小结 | 第42-44页 |
| 第三章 Smart-Cut 技术制备SOA(Silicon-on-AlN)结构材料 | 第44-58页 |
| ·前言 | 第44页 |
| ·Smart-Cut 技术主要过程 | 第44-45页 |
| ·Smart-Cut 技术制备SOI 材料的主要优点 | 第45-46页 |
| ·键合的基本原理 | 第46-48页 |
| ·Smart-Cut 技术制备SOA(Silicon-on-AlN) | 第48-51页 |
| ·实验过程 | 第48-50页 |
| ·SOA 晶片透射电子显微术(TEM)分析 | 第50-51页 |
| ·键合强度的检测 | 第51页 |
| ·器件电热学模拟 | 第51-57页 |
| ·MEDICI 器件模拟 | 第51-52页 |
| ·电热学模型 | 第52-54页 |
| ·输出特性模拟 | 第54-55页 |
| ·温度分布模拟 | 第55-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第四章 硅/玻璃(SOG-Silicon-on-Glass)新结构制备 | 第58-64页 |
| ·前言 | 第58页 |
| ·实验过程 | 第58-60页 |
| ·结果分析与讨论 | 第60-63页 |
| ·键合强度检测 | 第60页 |
| ·原子力显微镜分析 | 第60-61页 |
| ·透射电子显微镜界面微结构分析 | 第61-62页 |
| ·电学性能分析与讨论 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第五章 SOI 基新型悬浮式薄膜腔声谐振器研制 | 第64-77页 |
| ·前言 | 第64-65页 |
| ·ZnO 薄膜材料制备与性能研究 | 第65-72页 |
| ·ZnO 压电材料制备 | 第66-67页 |
| ·ZnO 薄膜结构分析 | 第67-70页 |
| ·ZnO 薄膜发光性能分析 | 第70-72页 |
| ·结论 | 第72页 |
| ·薄膜腔声谐振器机理 | 第72-73页 |
| ·SOI基悬浮式腔声谐振器的制备工艺 | 第73-76页 |
| ·悬浮式薄膜谐振器性能测试 | 第76页 |
| ·小结 | 第76-77页 |
| 第六章 结论 | 第77-79页 |
| ·结论 | 第77页 |
| ·工作展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-86页 |
| 作者在读期间发表的论文 | 第86-87页 |
| 声明 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
