| 第一章 绪论 | 第1-22页 |
| §1．1 MEMS器件概述 | 第8-10页 |
| §1．2 MOEMS技术加工工艺 | 第10-14页 |
| §1．3 MOEMS技术研究现状 | 第14-19页 |
| §1．4 本课题的研究内容及特色 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-22页 |
| 第二章 器件基本结构及功能 | 第22-35页 |
| §2．1 具有Fabry—Perot结构的光学调谐器 | 第22-23页 |
| §2．2 具有可调谐F—P腔的MOEMS器件 | 第23-34页 |
| §2．2．1 介质反射镜可调谐滤波器 | 第24-27页 |
| §2．2．2 金属诱导反射可调谐滤波器 | 第27-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 器件数值分析 | 第35-44页 |
| §3．1 器件的电力学分析 | 第35-40页 |
| §3．2 器件的电压调谐性能 | 第40-41页 |
| §3．3 器件的输出光谱 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第四章 器件加工工艺 | 第44-78页 |
| §4．1 MOEMS加工工艺介绍 | 第44-47页 |
| §4．1．1 表面微加工 | 第44-45页 |
| §4．1．2 体微加工 | 第45-47页 |
| §4．2 器件制造工艺流程设计 | 第47-51页 |
| §4．2．1 牺牲层填充结构 | 第47-49页 |
| §4．2．2 牺牲层兼结构层结构 | 第49-50页 |
| §4．2．3 桥式自支撑结构 | 第50-51页 |
| §4．3 器件制造中的薄膜工艺 | 第51-63页 |
| §4．3．1 反应溅射氮化硅薄膜的研究 | 第51-57页 |
| §4．3．2 磁控反应溅射氮氧化硅 | 第57-61页 |
| §4．3．3 其他一些薄膜的工艺参数 | 第61-63页 |
| §4．4 器件制造中的光刻工艺 | 第63-65页 |
| §4．5 器件制造中的反应离子刻蚀工艺 | 第65-66页 |
| §4．6 器件制造中湿法刻蚀技术 | 第66-67页 |
| §4．7 器件制造中粘连效应的控制 | 第67-71页 |
| §4．8 薄膜应力的影响和测试 | 第71-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第五章 总结和展望 | 第78-80页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |