| 1 前言 | 第1-31页 |
| ·太阳电池的发展及趋势 | 第15-18页 |
| ·硅薄膜太阳电池及其发展 | 第18-25页 |
| ·薄膜太阳电池的发展 | 第18-19页 |
| ·硅薄膜太阳电池的研究及其现状 | 第19-24页 |
| ·硅薄膜太阳电池的发展趋势 | 第24-25页 |
| ·硅薄膜太阳电池衬底材料的研究现状 | 第25-28页 |
| ·硅薄膜太阳电池材料及衬底材料 | 第27-28页 |
| ·陶瓷硅用作多晶硅硅薄膜衬底材料 | 第28页 |
| ·本文的研究内容及研究结果 | 第28-31页 |
| 2 薄膜太阳电池基础知识 | 第31-60页 |
| ·太阳电池简介 | 第31-41页 |
| ·太阳电池及工作原理 | 第34-37页 |
| ·太阳电池的结构 | 第34-35页 |
| ·太阳电池工作原理 | 第35-37页 |
| ·太阳电池的性能表征 | 第37-40页 |
| ·提高太阳电池效率的途径 | 第40-41页 |
| ·硅材料及其制备技术 | 第41-46页 |
| ·多晶硅薄膜及其制备技术 | 第46-50页 |
| ·硅薄膜的液相外延(LPE)技术 | 第46-49页 |
| ·硅薄膜的化学气相沉积(CVD)技术 | 第49-50页 |
| ·多晶硅薄膜沉积理论 | 第50-59页 |
| ·化学气相沉积多晶硅薄膜的动力学 | 第50-54页 |
| ·多晶硅薄膜的生长理论 | 第54-59页 |
| ·成核理论 | 第54-58页 |
| ·沉积条件对多晶硅薄膜形貌的影响 | 第58-59页 |
| 小结 | 第59-60页 |
| 3 多晶硅薄膜衬底材料的研究 | 第60-85页 |
| ·多晶硅薄膜衬底材料及性能 | 第60-61页 |
| ·烧结法制备陶瓷硅材料 | 第61-66页 |
| ·实验 | 第61-62页 |
| ·结果及讨论 | 第62-66页 |
| ·结论 | 第66页 |
| ·高压低温制备陶瓷硅材料 | 第66-76页 |
| ·实验 | 第66-67页 |
| ·结果与讨论 | 第67-75页 |
| ·烧结温度对材料氧化的影响 | 第67-70页 |
| ·烧结时间对材料氧化的影响 | 第70-71页 |
| ·烧结温度与材料密度的关系 | 第71-72页 |
| ·烧结温度与材料电阻率的关系 | 第72-73页 |
| ·压力对材料氧化的影响 | 第73-74页 |
| ·不同温度条件下制备材料的SEM表面形貌 | 第74-75页 |
| ·样品的莫氏硬度 | 第75页 |
| ·结论 | 第75-76页 |
| ·掺杂对陶瓷硅衬底材料的影响 | 第76-83页 |
| ·掺铝陶瓷硅材料 | 第76-79页 |
| ·实验结果及讨论 | 第76-79页 |
| ·掺硼陶瓷硅材料 | 第79-82页 |
| ·实验结果及讨论 | 第80-82页 |
| ·结论 | 第82-83页 |
| 小结 | 第83-85页 |
| 4 多晶硅薄膜的沉积研究 | 第85-117页 |
| ·陶瓷硅衬底上沉积多晶硅薄膜 | 第89-98页 |
| ·衬底性能 | 第89页 |
| ·多晶硅薄膜制备方法及条件 | 第89-90页 |
| ·多晶硅薄膜性能 | 第90-98页 |
| ·多晶硅薄膜的表面形貌 | 第90-92页 |
| ·多晶硅薄膜的厚度测量及结果 | 第92-94页 |
| ·多晶硅薄膜的电阻率 | 第94页 |
| ·RTCVD沉积多晶硅薄膜的XRD分析 | 第94-96页 |
| ·多晶硅薄膜的Hall测量 | 第96-98页 |
| ·结论 | 第98页 |
| ·镁铝尖晶石衬底上沉积多晶硅薄膜 | 第98-102页 |
| ·衬底性能 | 第98页 |
| ·多晶硅薄膜的制备方法及条件 | 第98页 |
| ·多晶硅薄膜的性能 | 第98-101页 |
| ·薄膜的表面形貌 | 第98-100页 |
| ·多晶硅薄膜的厚度与电阻率 | 第100页 |
| ·多晶硅薄膜XRD分析 | 第100-101页 |
| ·多晶硅薄膜的Hall测量 | 第101页 |
| ·结论 | 第101-102页 |
| ·石墨衬底上沉积多晶硅薄膜 | 第102-106页 |
| ·衬底性能 | 第102页 |
| ·制备方法及条件 | 第102页 |
| ·薄膜性能 | 第102-105页 |
| ·薄膜的表面形貌 | 第102-104页 |
| ·多晶硅薄膜的XRD分析 | 第104-105页 |
| ·结论 | 第105-106页 |
| ·多晶硅薄膜太阳电池晶粒尺寸及厚度对其性能的影响 | 第106-115页 |
| ·理论计算原理 | 第106-107页 |
| ·厚度对薄膜太阳电池性能的影响 | 第107-110页 |
| ·厚度对开路电压Voc的影响 | 第107-108页 |
| ·厚度对短路电流密度Jsc的影响 | 第108-109页 |
| ·厚度对太阳电池效率η的影响 | 第109-110页 |
| ·晶粒尺寸对薄膜太阳电池性能的影响 | 第110-112页 |
| ·晶粒尺寸对开路电压Voc的影响 | 第110-111页 |
| ·晶粒尺寸对短路电流密度Jsc的影响 | 第111页 |
| ·晶粒尺寸对太阳电池效率η的影响 | 第111-112页 |
| ·晶粒尺寸与薄膜厚度的关系对薄膜太阳电池性能的影响 | 第112-115页 |
| ·结论 | 第115页 |
| 小结 | 第115-117页 |
| 5 多晶硅薄膜及薄膜太阳电池电子辐照研究 | 第117-150页 |
| ·半导体材料辐照效应基本知识 | 第117-125页 |
| ·辐射类型及度量 | 第117-118页 |
| ·空间辐照环境 | 第118-121页 |
| ·辐射与物质的相互作用 | 第121-125页 |
| ·辐射与物质的主要作用方式 | 第121-123页 |
| ·相互作用对辐射穿透行为的影响 | 第123-125页 |
| ·辐照对半导体材料的损伤 | 第125-141页 |
| ·电离效应 | 第125-127页 |
| ·位移效应 | 第127-131页 |
| ·辐照对半导体材料物性的影响 | 第131-136页 |
| ·电子辐照对太阳电池的损伤理论 | 第136-141页 |
| ·多晶硅薄膜及薄膜太阳电池的电子辐照 | 第141-148页 |
| ·多晶硅薄膜的电子辐照 | 第141-144页 |
| ·电子辐照对多晶硅薄膜电阻率的影响 | 第142-143页 |
| ·电子辐照对多晶硅薄膜迁移率的影响 | 第143页 |
| ·分析 | 第143-144页 |
| ·多晶硅薄膜太阳电池的电子辐照 | 第144-148页 |
| ·电子辐照对多晶硅薄膜太阳电池电流密度的影响 | 第144-145页 |
| ·结果分析 | 第145-146页 |
| ·电子辐照对多晶硅薄膜太阳电池开路电压的影响 | 第146-147页 |
| ·结果分析 | 第147-148页 |
| 小结 | 第148-150页 |
| 结束语 | 第150-153页 |
| 参考文献: | 第153-167页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第167-169页 |
| 声明 | 第169-170页 |
| 致谢 | 第170页 |