摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
绪论 | 第9-11页 |
第一章 有机电子给体研究概况 | 第11-37页 |
·引言:基于电子给体和受体的有机导体 | 第11-14页 |
·有机导体的研究现状 | 第14-17页 |
·含多个四硫富瓦烯(TTF)单元的有机电子给体 | 第17-26页 |
·总结和选题意义 | 第26-27页 |
参考文献 | 第27-37页 |
第二章 新型多TTF电子给体合成及物性研究 | 第37-74页 |
·引言 | 第37-39页 |
·目标化合物的合成 | 第39-47页 |
·合成实验部分 | 第47-62页 |
·新型给体物化性质研究 | 第62-69页 |
·构型计算优化 | 第62-63页 |
·电化学性质研究 | 第63-67页 |
·LB成膜性能研究 | 第67-69页 |
·本章小结 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-74页 |
第三章 有机场效应晶体管半导体材料研究概况 | 第74-104页 |
·引言:有机场效应晶体管 | 第74-75页 |
·有机场效应晶体管的结构、工作原理和性能表征 | 第75-80页 |
·应用于场效应晶体管的有机半导体材料 | 第80-90页 |
·p型有机半导体材料 | 第81-88页 |
·n型有机半导体材料 | 第88-90页 |
·有机半导体材料的固态结构和成膜技术 | 第90-92页 |
·总结和选题意义 | 第92页 |
参考文献 | 第92-104页 |
第四章 二(苯并吩噻嗪)并吡咯类p型半导体材料的合成和性质研究 | 第104-139页 |
·引言 | 第104-105页 |
·化合物的合成和表征 | 第105-107页 |
·合成实验部分 | 第107-111页 |
·结果与讨论 | 第111-133页 |
·溶解性和光物理性质 | 第111-114页 |
·电化学性质 | 第114-115页 |
·热稳定性 | 第115-117页 |
·化合物1和3的单晶结构 | 第117-124页 |
·薄膜形貌的表征 | 第124-128页 |
·薄膜晶体管器件的电学性能 | 第128-131页 |
·光电流测试 | 第131-133页 |
·本章小结 | 第133-134页 |
参考文献 | 第134-139页 |
第五章 含氟取代的二(苯并吩噻嗪)并吡咯类n型半导体材料的合成和性质 | 第139-151页 |
·引言 | 第139-140页 |
·化合物的合成和表征 | 第140页 |
·合成实验部分 | 第140-142页 |
·结果与讨论 | 第142-147页 |
·溶解性和光物理性质 | 第142-144页 |
·电化学性质 | 第144-145页 |
·热稳定性 | 第145-146页 |
·化合物6的单晶结构 | 第146-147页 |
·本章小结 | 第147-148页 |
参考文献 | 第148-151页 |
第六章 结论和展望 | 第151-154页 |
致谢 | 第154-155页 |
论文发表情况 | 第155-156页 |