不同状态下CMOS管的1/f噪声对低噪声CSA的影响
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-11页 |
| ·课题背景及意义 | 第9页 |
| ·CMOS 管1/f 噪声的研究现状 | 第9-10页 |
| ·本论文的主要工作 | 第10页 |
| ·论文主要内容简介 | 第10-11页 |
| 第2章 CMOS 管1/f 噪声的理论与仿真模型 | 第11-21页 |
| ·CMOS 管1/f 噪声的理论模型 | 第11-17页 |
| ·迁移率波动模型 | 第11-13页 |
| ·载流子数目涨落模型 | 第13-17页 |
| ·两个模型的改进 | 第17页 |
| ·CMOS 管1/f 噪声的仿真模型 | 第17-20页 |
| ·Spice 2 噪声模型 | 第18-19页 |
| ·EKV 噪声模型 | 第19页 |
| ·BSIM3 噪声模型 | 第19-20页 |
| ·小结 | 第20-21页 |
| 第3章 集成CMOS 电荷灵敏前放的噪声优化 | 第21-30页 |
| ·电荷灵敏前放的噪声分析 | 第21-24页 |
| ·电荷灵敏前放的噪声源 | 第21-22页 |
| ·等效噪声电荷（ENC）的计算 | 第22-24页 |
| ·噪声优化问题 | 第24-29页 |
| ·传统噪声优化方法 | 第24-26页 |
| ·改进的噪声优化方法 | 第26-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第4章 CMOS 管1/f 噪声测试系统 | 第30-41页 |
| ·芯片设计 | 第30-34页 |
| ·不同尺寸的单个 CMOS 管 | 第31-32页 |
| ·电荷灵敏前放设计 | 第32-34页 |
| ·前放ENC 测试电路 | 第34-36页 |
| ·测试方法简介 | 第34-35页 |
| ·测试电路建立 | 第35-36页 |
| ·单管测试电路 | 第36-40页 |
| ·单管测试系统框图 | 第36页 |
| ·静态参数测量 | 第36-37页 |
| ·噪声测量 | 第37-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第5章 测试结果与分析 | 第41-62页 |
| ·电流放大器的测试结果 | 第41-42页 |
| ·前放ENC 的测试 | 第42-43页 |
| ·前放ENC 的测试结果 | 第42页 |
| ·数据分析 | 第42-43页 |
| ·单管测试结果 | 第43-59页 |
| ·静态参数测试 | 第43-45页 |
| ·1/f 噪声测试 | 第45-59页 |
| ·对噪声优化的影响 | 第59-61页 |
| ·沟道长度的选择 | 第60页 |
| ·工作电流的选择 | 第60页 |
| ·优化方法 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第6章 结束语 | 第62-63页 |
| ·研究总结 | 第62页 |
| ·需要进一步开展的工作 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第66页 |
