电化学方法制备InP的微/纳米结构
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·多孔Si的研究 | 第8-15页 |
| ·多孔Si的分类 | 第9页 |
| ·多孔Si的形貌 | 第9-10页 |
| ·多孔Si的形成机理 | 第10-11页 |
| ·多孔Si的形成模型 | 第11-12页 |
| ·影响多孔Si形成的因素 | 第12-13页 |
| ·多孔Si的应用 | 第13-15页 |
| ·多孔Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研究现状 | 第15-22页 |
| ·多孔GaAs的研究 | 第15-17页 |
| ·多孔GaP的研究 | 第17-19页 |
| ·多孔InP的研究 | 第19-22页 |
| ·刻蚀技术 | 第22-23页 |
| ·研究本课题的目的和意义 | 第23-24页 |
| 第二章 电化学刻蚀InP的工艺流程 | 第24-28页 |
| ·半导体InP的性质 | 第24-25页 |
| ·样品的制备及实验设备 | 第25-26页 |
| ·样品的处理 | 第25-26页 |
| ·试验设备 | 第26页 |
| ·电解液的选择 | 第26-27页 |
| ·表征样品的手段 | 第27-28页 |
| 第三章 多孔InP的制备及形成机理 | 第28-47页 |
| ·电化学刻蚀InP的结果分析 | 第28-42页 |
| ·选取1mol/L的NaCl作为电解液 | 第28-33页 |
| ·选取2mol/L的NaCl作为电解液 | 第33-38页 |
| ·选取3mol/L的NaCl作为电解液 | 第38-42页 |
| ·实验结果比较与分析 | 第42-43页 |
| ·多孔InP的形成机理 | 第43-47页 |
| 第四章 晶向孔层的去除 | 第47-51页 |
| ·物理抛光法 | 第47页 |
| ·酸溶液腐蚀法 | 第47-51页 |
| 第五章 InP衬底上柱状阵列的制备 | 第51-54页 |
| ·SiO_2单分散微球的制备 | 第51页 |
| ·InP柱状阵列的制备 | 第51-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
