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晶体中过渡金属离子基态与低激发态零场分裂和g因子性质的理论研究与应用

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-12页
第一章 绪论第12-26页
   ·所选课题的研究意义第12-13页
   ·相关理论与方法的研究进展第13-15页
   ·现有理论和实验存在的问题第15-16页
   ·本文的主要研究内容和安排第16-17页
 参考文献第17-26页
第二章 理论基础第26-61页
   ·晶体场理论基本假设第26页
   ·晶场参量第26-38页
     ·晶场势第26-27页
     ·晶场参量第27页
     ·晶场参量模型第27-29页
     ·立方晶场参量与低对称晶场参量第29-31页
     ·不同晶场符号之间的关系第31-38页
   ·光谱精细结构第38-52页
   ·自旋哈密顿参量第52-58页
     ·基态零场分裂和g因子的计算公式第53-56页
     ·激发态零场分裂和g因子的计算公式第56-58页
   ·本章小结第58页
 参考文献第58-61页
第三章 计算方法第61-78页
   ·微扰环方法第61-64页
     ·强场耦合图象第61-62页
     ·强场波函数的构造第62-63页
     ·Macfarlane微扰环方法第63-64页
   ·完全对角化方法第64-75页
     ·不可约张量方法第65页
     ·中间场耦合图象第65-66页
     ·体系哈密顿量的建立第66-75页
   ·本章小结第75页
 参考文献第75-78页
第四章 激发态对基态自旋哈密顿参量的影响研究第78-90页
   ·三角对称晶场中d~3离子激发态对基态零场分裂和g因子的影响第78-81页
   ·四角对称晶场中d~3离子激发态对基态零场分裂和g因子的影响第81-84页
   ·三角对称晶场中d~2离子激发态对基态零场分裂和g因子的影响第84-86页
   ·三角对称晶场中d~8离子激发态对基态零场分裂和g因子的影响第86-87页
   ·本章小结第87-88页
 参考文献第88-90页
第五章 激发态ZFS和g因子性质研究第90-118页
   ·三角对称下d~3离子低激发态零场分裂性质研究第90-95页
     ·计算公式第90-94页
     ·计算结果与讨论第94-95页
   ·四角对称下d~3离子低激发态零场分裂性质研究第95-102页
     ·计算公式第95-96页
     ·四角对称下~4T_(1a)态零场分裂性质及微扰公式有效性分析第96-99页
     ·四角对称下~4T_2态零场分裂性质及微扰公式收敛性分析第99-102页
   ·三角对称下d~3离子低激发态g因子性质研究第102-113页
     ·计算公式第102-103页
     ·Al_2O_3:Mn~(4+)晶体和Al_2O_3:Cr~(3+)晶体~2E态g因子性质研究第103-109页
     ·尖晶石结构晶体中Cr~(3+)离子~2E态g因子性质第109-113页
   ·本章小结第113-114页
 参考文献第114-118页
第六章 晶格缺陷局域结构分析第118-134页
   ·Al_2O_3:V~(3+)晶体局域结构研究第118-122页
     ·引言第118页
     ·计算公式第118-120页
     ·Al_2O_3:V~(3+)晶体局域结构模型分析第120-122页
     ·结论与讨论第122页
   ·Al_2O_3:Cu~(3+)晶体局域结构研究第122-125页
     ·引言第122页
     ·Al_2O_3:Cu~(3+)体系的局域结构模型与SH参量第122-123页
     ·结果与讨论第123-125页
   ·LiNbO_3:Ni~(2+)晶体局域结构研究第125-127页
     ·引言第125页
     ·局域结构分析和SH参量的计算第125-126页
     ·结论第126-127页
   ·CsMgX_3(X=Cl、Br、I)系列晶体中V~(2+)离子局域结构第127-129页
     ·引言第127页
     ·CsMgX_3(X=Cl、Br、I)系列晶体局域结构分析第127-128页
     ·结果与讨论第128-129页
 参考文献第129-134页
第七章 主要结论第134-136页
致谢第136-137页
攻读博士学位期间的研究成果第137-138页

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