摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-12页 |
第一章 绪论 | 第12-26页 |
·所选课题的研究意义 | 第12-13页 |
·相关理论与方法的研究进展 | 第13-15页 |
·现有理论和实验存在的问题 | 第15-16页 |
·本文的主要研究内容和安排 | 第16-17页 |
参考文献 | 第17-26页 |
第二章 理论基础 | 第26-61页 |
·晶体场理论基本假设 | 第26页 |
·晶场参量 | 第26-38页 |
·晶场势 | 第26-27页 |
·晶场参量 | 第27页 |
·晶场参量模型 | 第27-29页 |
·立方晶场参量与低对称晶场参量 | 第29-31页 |
·不同晶场符号之间的关系 | 第31-38页 |
·光谱精细结构 | 第38-52页 |
·自旋哈密顿参量 | 第52-58页 |
·基态零场分裂和g因子的计算公式 | 第53-56页 |
·激发态零场分裂和g因子的计算公式 | 第56-58页 |
·本章小结 | 第58页 |
参考文献 | 第58-61页 |
第三章 计算方法 | 第61-78页 |
·微扰环方法 | 第61-64页 |
·强场耦合图象 | 第61-62页 |
·强场波函数的构造 | 第62-63页 |
·Macfarlane微扰环方法 | 第63-64页 |
·完全对角化方法 | 第64-75页 |
·不可约张量方法 | 第65页 |
·中间场耦合图象 | 第65-66页 |
·体系哈密顿量的建立 | 第66-75页 |
·本章小结 | 第75页 |
参考文献 | 第75-78页 |
第四章 激发态对基态自旋哈密顿参量的影响研究 | 第78-90页 |
·三角对称晶场中d~3离子激发态对基态零场分裂和g因子的影响 | 第78-81页 |
·四角对称晶场中d~3离子激发态对基态零场分裂和g因子的影响 | 第81-84页 |
·三角对称晶场中d~2离子激发态对基态零场分裂和g因子的影响 | 第84-86页 |
·三角对称晶场中d~8离子激发态对基态零场分裂和g因子的影响 | 第86-87页 |
·本章小结 | 第87-88页 |
参考文献 | 第88-90页 |
第五章 激发态ZFS和g因子性质研究 | 第90-118页 |
·三角对称下d~3离子低激发态零场分裂性质研究 | 第90-95页 |
·计算公式 | 第90-94页 |
·计算结果与讨论 | 第94-95页 |
·四角对称下d~3离子低激发态零场分裂性质研究 | 第95-102页 |
·计算公式 | 第95-96页 |
·四角对称下~4T_(1a)态零场分裂性质及微扰公式有效性分析 | 第96-99页 |
·四角对称下~4T_2态零场分裂性质及微扰公式收敛性分析 | 第99-102页 |
·三角对称下d~3离子低激发态g因子性质研究 | 第102-113页 |
·计算公式 | 第102-103页 |
·Al_2O_3:Mn~(4+)晶体和Al_2O_3:Cr~(3+)晶体~2E态g因子性质研究 | 第103-109页 |
·尖晶石结构晶体中Cr~(3+)离子~2E态g因子性质 | 第109-113页 |
·本章小结 | 第113-114页 |
参考文献 | 第114-118页 |
第六章 晶格缺陷局域结构分析 | 第118-134页 |
·Al_2O_3:V~(3+)晶体局域结构研究 | 第118-122页 |
·引言 | 第118页 |
·计算公式 | 第118-120页 |
·Al_2O_3:V~(3+)晶体局域结构模型分析 | 第120-122页 |
·结论与讨论 | 第122页 |
·Al_2O_3:Cu~(3+)晶体局域结构研究 | 第122-125页 |
·引言 | 第122页 |
·Al_2O_3:Cu~(3+)体系的局域结构模型与SH参量 | 第122-123页 |
·结果与讨论 | 第123-125页 |
·LiNbO_3:Ni~(2+)晶体局域结构研究 | 第125-127页 |
·引言 | 第125页 |
·局域结构分析和SH参量的计算 | 第125-126页 |
·结论 | 第126-127页 |
·CsMgX_3(X=Cl、Br、I)系列晶体中V~(2+)离子局域结构 | 第127-129页 |
·引言 | 第127页 |
·CsMgX_3(X=Cl、Br、I)系列晶体局域结构分析 | 第127-128页 |
·结果与讨论 | 第128-129页 |
参考文献 | 第129-134页 |
第七章 主要结论 | 第134-136页 |
致谢 | 第136-137页 |
攻读博士学位期间的研究成果 | 第137-138页 |