BST热释电薄膜材料及在红外探测器中的应用基础研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·热释电红外探测器 | 第13-20页 |
| ·工作原理 | 第14-15页 |
| ·工作模式 | 第15-16页 |
| ·主要参数 | 第16-20页 |
| ·热释电红外探测器的应用及发展 | 第20-24页 |
| ·应用特点 | 第20-22页 |
| ·陶瓷型热释电红外探测器 | 第22页 |
| ·薄膜型热释电红外探测器 | 第22-24页 |
| ·热释电薄膜及探测器研究状况 | 第24-26页 |
| ·国外研究现状 | 第24-25页 |
| ·国内研究现状 | 第25-26页 |
| ·本论文主要工作 | 第26-27页 |
| 第二章 实验方法 | 第27-40页 |
| ·BST薄膜制备方法 | 第27-28页 |
| ·RF溅射原理 | 第27页 |
| ·倒筒靶RF溅射系统 | 第27-28页 |
| ·微观结构分析方法 | 第28-31页 |
| ·XRD | 第28-29页 |
| ·SEM | 第29-30页 |
| ·AFM | 第30-31页 |
| ·电性能测试 | 第31-37页 |
| ·介电性能测试 | 第31-33页 |
| ·热释电系数测试 | 第33-35页 |
| ·漏电流测试 | 第35-37页 |
| ·微细加工工艺 | 第37-40页 |
| ·光刻工艺 | 第37页 |
| ·图形化方法 | 第37-40页 |
| 第三章 BST热释电薄膜的制备 | 第40-71页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·新型倒筒靶RF溅射枪研究 | 第41-48页 |
| ·倒筒靶RF磁控溅射 | 第41-42页 |
| ·倒筒靶溅射装置 | 第42-43页 |
| ·传统倒筒靶溅射枪 | 第43-46页 |
| ·新型倒筒靶溅射枪 | 第46-48页 |
| ·BST薄膜制备工艺条件研究 | 第48-56页 |
| ·沉积速度 | 第49-52页 |
| ·沉积温度 | 第52-53页 |
| ·后退火温度 | 第53-54页 |
| ·后退火时间 | 第54-56页 |
| ·BST薄膜低温自缓冲层技术 | 第56-69页 |
| ·Pt/BST界面粗糙度 | 第57-61页 |
| ·Pt(111)/BST(001)异质生长 | 第61-62页 |
| ·低温自缓冲层技术 | 第62-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第四章 BST薄膜TDDB机理与调控方法研究 | 第71-96页 |
| ·引言 | 第71页 |
| ·理论基础 | 第71-78页 |
| ·导电机理 | 第71-76页 |
| ·SiO_2薄膜的TDDB | 第76-78页 |
| ·PT/BST/NICR导电机理 | 第78-84页 |
| ·正偏压导电机理 | 第78-79页 |
| ·负偏压导电机理 | 第79-83页 |
| ·Pt/BST/NiCr的微观特征 | 第83-84页 |
| ·TDDB机理研究 | 第84-91页 |
| ·TDDB调控方法 | 第91-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 第五章 BST薄膜红外探测器研究 | 第96-108页 |
| ·引言 | 第96页 |
| ·BST薄膜红外探测器制作 | 第96-99页 |
| ·探测器结构与制作流程 | 第96-98页 |
| ·探测器制作 | 第98-99页 |
| ·BST薄膜探测器光电响应测试 | 第99-106页 |
| ·测试系统 | 第99-102页 |
| ·测试要求 | 第102-103页 |
| ·测试结果 | 第103-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 第六章 结论和展望 | 第108-112页 |
| ·主要结论 | 第108-110页 |
| ·主要创新点 | 第110页 |
| ·前景展望 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-121页 |
| 在读期间取得的研究成果 | 第121-123页 |
