| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-19页 |
| ·几种常见的ESD放电模型 | 第9-13页 |
| ·人体模型(HBM) | 第9-11页 |
| ·机器模型(MM) | 第11-12页 |
| ·器件充电模型(CDM) | 第12-13页 |
| ·传输线脉冲(TLP)测量方法 | 第13-16页 |
| ·研究背景 | 第16-19页 |
| ·CMOS电路ESD保护发展现状 | 第16-18页 |
| ·双极电路ESD保护发展现状 | 第18-19页 |
| 第2章 常见的ESD保护器件 | 第19-33页 |
| ·简单开启泄放电流类(Non-snapback Devices) | 第19-21页 |
| ·PN结二极管 | 第19-21页 |
| ·齐纳二极管 | 第21页 |
| ·骤回(Snapback)开启泄放电流 | 第21-29页 |
| ·MOSFET | 第21-23页 |
| ·可控硅(SCR) | 第23-24页 |
| ·常见的保护器件的衍生结构 | 第24-29页 |
| ·综合结构 | 第29-33页 |
| ·FED(场效应二极管) | 第29-31页 |
| ·超级TVS(Super-Clamp structure for TVS) | 第31-33页 |
| 第3章 计算方法与程序关键部分讨论 | 第33-42页 |
| ·漂移扩散模型第一层 | 第33-34页 |
| ·漂移扩散模型第二层 | 第34-35页 |
| ·第二层DD模型的离散 | 第35-38页 |
| ·其它有关参数模型的选择 | 第38-41页 |
| ·迁移率的模型 | 第38页 |
| ·热导率的模型 | 第38-39页 |
| ·雪崩击穿模型的选择 | 第39-41页 |
| ·归一化 | 第41-42页 |
| 第4章 静电感应器件(SID)的结构与原理 | 第42-49页 |
| ·SIT的结构 | 第42-43页 |
| ·SIT的工作原理 | 第43页 |
| ·I-V关系 | 第43-44页 |
| ·SITH的结构 | 第44-45页 |
| ·SITH的工作基本原理 | 第45-47页 |
| ·I-V特性 | 第47-48页 |
| ·器件的性能的优化 | 第48-49页 |
| 第5章 SITH对ESD事件的响应分析 | 第49-61页 |
| ·结构参数的确定 | 第49-52页 |
| ·调整一次击穿电压的方法 | 第52-55页 |
| ·AC I-V曲线比较 | 第55-56页 |
| ·自编程序的模拟结果 | 第56-57页 |
| ·关于SITH响应速度的讨论 | 第57-58页 |
| ·长漂移区SITH的ESD测试 | 第58-61页 |
| 第6章 结论和展望 | 第61-63页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| ·展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |