| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 目录 | 第11-15页 |
| 符号说明 | 第15-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-38页 |
| ·化学修饰电极的制备及其在分析化学中的应用 | 第17-20页 |
| ·化学修饰电极的制备方法 | 第17-19页 |
| ·化学修饰电极在电分析化学中的应用 | 第19-20页 |
| ·纳米材料的特性及其修饰电极在电化学方面的应用 | 第20-21页 |
| ·纳米材料的基本特性 | 第20-21页 |
| ·纳米材料修饰电极在电化学分析中的应用 | 第21页 |
| ·纳米二氧化钛的结构性能及其应用 | 第21-29页 |
| ·纳米二氧化钛的结构与性能 | 第21-23页 |
| ·纳米二氧化钛光催化机理研究进展 | 第23-29页 |
| ·纳米二氧化钛修饰电极的研究进展 | 第29页 |
| ·纳米二氧化锆的性能及其在分析化学上的应用 | 第29-31页 |
| ·纳米二氧化锆的主要性质 | 第29页 |
| ·纳米二氧化锆在分析化学上的应用研究进展 | 第29-31页 |
| ·压电石英晶体传感技术 | 第31-34页 |
| ·QCM工作原理 | 第31页 |
| ·Sauerbrey方程 | 第31页 |
| ·液相压电传感理论 | 第31-32页 |
| ·QCM的应用研究进展 | 第32-34页 |
| ·吸附溶出伏安法的研究进展 | 第34-36页 |
| ·吸附溶出伏安法的特性 | 第34页 |
| ·吸附溶出伏安法中的电极选择 | 第34-35页 |
| ·吸附溶出伏安法的应用 | 第35-36页 |
| ·本论文的意义和主要内容 | 第36-38页 |
| 第二章 纳米二氧化钛修饰电极现场分析光催化沉积铋机理 | 第38-49页 |
| ·前言 | 第38-39页 |
| ·实验部分 | 第39-40页 |
| ·试剂和材料 | 第39页 |
| ·实验装置 | 第39页 |
| ·PQC表面上纳米TiO_2膜的制备 | 第39-40页 |
| ·QCM和DPV法测定在纳米TiO_2上吸附和还原Bi(Ⅲ)离子的过程 | 第40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-48页 |
| ·Bi(Ⅲ)在纳米TiO_2上的吸附行为 | 第40-43页 |
| ·Bi(Ⅲ)在纳米TiO_2上的光催化还原行为 | 第43-45页 |
| ·Bi(Ⅲ)的起始浓度和pH对TiO_2光催化还原行为的影响 | 第45-46页 |
| ·空穴清除剂对光催化还原沉积Bi(Ⅲ)的影响 | 第46-47页 |
| ·纳米TiO_2膜光催化还原Bi(Ⅲ)后的XRD分析 | 第47页 |
| ·沉积的Bi(Ⅲ)和Bi金属的比例 | 第47-48页 |
| ·结论 | 第48-49页 |
| 第三章 纳米TiO_2修饰电极现场分析EDTA对TiO_2光催化还原汞的影响 | 第49-60页 |
| ·前言 | 第49-50页 |
| ·实验部分 | 第50-51页 |
| ·材料和方法 | 第50页 |
| ·设备和仪器 | 第50页 |
| ·PQC表面上纳米TiO_2膜的制备 | 第50页 |
| ·QCM监测在纳米TiO_2上吸附和还原Hg(Ⅱ)离子的过程 | 第50-51页 |
| ·制备TiO_2/GC电极 | 第51页 |
| ·电化学溶出法检测汞 | 第51页 |
| ·结果和讨论 | 第51-59页 |
| ·Hg(Ⅱ)和EDTA在纳米TiO_2上的吸附行为 | 第51-54页 |
| ·比较研究空穴清除剂EDTA和HCOOH对光催化还原汞的影响 | 第54-56页 |
| ·Hg(Ⅱ)与EDTA的比例以及pH对光催化还原Hg(Ⅱ)的影响 | 第56-59页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| 第四章 纳米TiO_2复合膜修饰电极研究TiO_2与壳聚糖在光催化还原汞中的相互作用 | 第60-68页 |
| ·前言 | 第60页 |
| ·实验部分 | 第60-62页 |
| ·材料和方法 | 第60-61页 |
| ·设备和仪器 | 第61页 |
| ·PQC表面上膜的制备 | 第61页 |
| ·QCM监测纳米TiO_2对CS稳定性的影响 | 第61页 |
| ·制备TiO_2/GC和(TiO_2,CS)/GC电极 | 第61-62页 |
| ·电化学溶出检测汞 | 第62页 |
| ·结果和讨论 | 第62-68页 |
| ·纳米TiO_2对CS稳定性的影响 | 第62-64页 |
| ·纳米TiO_2与CS之间作用力的分析 | 第64-65页 |
| ·纳米TiO_2与CS作用后对吸附和光催化还原汞的影响 | 第65-67页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| 第五章 修饰电极溶出伏安法测定重金属离子 | 第68-85页 |
| 第一节 N,N’-哌嗪二硫代氨基甲酸钠修饰碳糊电极测定痕量汞 | 第68-74页 |
| ·实验部分 | 第68-69页 |
| ·结果与讨论 | 第69-73页 |
| ·结论 | 第73-74页 |
| 第二节 铋膜电极同时测定痕量的锌、镉、铅、铜离子 | 第74-81页 |
| ·前言 | 第74页 |
| ·实验部分 | 第74-75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-80页 |
| ·结论 | 第80-81页 |
| 第三节 原位镀汞与同位镀铋溶出伏安法测量Cu~(2+)的比较研究 | 第81-85页 |
| ·引言 | 第81页 |
| ·实验部分 | 第81页 |
| ·结果与讨论 | 第81-84页 |
| ·结论 | 第84-85页 |
| 第六章 光化学沉积汞膜电极吸附溶出伏安法测定牛奶中的磺胺嘧啶 | 第85-94页 |
| ·前言 | 第85页 |
| ·实验部分 | 第85-86页 |
| ·仪器与试剂 | 第85-86页 |
| ·光催化还原Hg膜TiO_2/Ti电极的制备 | 第86页 |
| ·电化学溶出检测SDZ | 第86页 |
| ·牛奶中的SDZ的测定 | 第86页 |
| ·结果与讨论 | 第86-93页 |
| ·Hg光催化沉积在TiO_2/Ti电极上的溶出伏安行为 | 第86-87页 |
| ·SDZ在光催化还原Hg膜TiO_2/Ti电极上的伏安行为 | 第87页 |
| ·实验条件的优化并用于测定SDZ | 第87-93页 |
| ·结论 | 第93-94页 |
| 第七章 自组装单层膜电沉积氧化锆膜溶出伏安法测对硫磷 | 第94-105页 |
| ·前言 | 第94-95页 |
| ·实验部分 | 第95-96页 |
| ·仪器和试剂 | 第95页 |
| ·制备ZrO_2/MAS/Au电极 | 第95-96页 |
| ·电化学溶出检测PT | 第96页 |
| ·实际样品的准备 | 第96页 |
| ·结果与讨论 | 第96-104页 |
| ·ZrO_2/MAS/Au电极的特征 | 第96-99页 |
| ·电沉积ZrO_2表面的形态特征 | 第99页 |
| ·PT/ZrO_2/MAS/Au电极的电化学行为 | 第99-101页 |
| ·实验条件的优化并用于SWV分析测定PT | 第101-102页 |
| ·分析性能 | 第102-103页 |
| ·在蔬菜和水样品中检测PT | 第103-104页 |
| ·结论 | 第104-105页 |
| 第八章 总结 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第134页 |
