| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| ·导电性与光透过率的关系 | 第12-14页 |
| ·ZnO-TCO薄膜的结构和特性 | 第14-16页 |
| ·ZnO-TCO薄膜制备技术 | 第16-19页 |
| ·磁控溅射法 | 第16-17页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第17页 |
| ·蒸发法 | 第17-18页 |
| ·化学气相沉积法 | 第18页 |
| ·热喷涂法 | 第18-19页 |
| ·溶胶凝胶 | 第19页 |
| ·选题的目的和意义 | 第19-21页 |
| 第2章 实验部分 | 第21-31页 |
| ·靶材的制备 | 第21-26页 |
| ·制备靶材的实验装置 | 第21页 |
| ·制备靶材所用原料 | 第21页 |
| ·制备靶材所用粉料的参数 | 第21-22页 |
| ·溅射靶材的压制成型 | 第22-23页 |
| ·靶材的烧结 | 第23-26页 |
| ·溅射靶材的压制成型 | 第23-25页 |
| ·靶材的预烧 | 第25-26页 |
| ·靶材性能的表征方法 | 第26-28页 |
| ·靶材的烧结 | 第26-27页 |
| ·靶材相对密度的测定 | 第27页 |
| ·靶材线收缩率的测定 | 第27-28页 |
| ·薄膜的制备 | 第28-29页 |
| ·制备薄膜的实验设备 | 第28页 |
| ·衬底玻璃基片清洗步骤 | 第28-29页 |
| ·薄膜性能的表征 | 第29-31页 |
| ·薄膜结构的测定 | 第29页 |
| ·薄膜表面形貌和薄膜组分的测定 | 第29页 |
| ·光学性能的测定 | 第29-30页 |
| ·电学性能的测定 | 第30-31页 |
| 第3章 ZnO：Al_2O_3(AZO)薄膜的制备与研究 | 第31-47页 |
| ·AZO靶材的烧结 | 第31-32页 |
| ·AZO薄膜的制备 | 第32-33页 |
| ·ZnO：Al_2O_3薄膜试样紫外-可见光透过率 | 第33-38页 |
| ·衬底温度对薄膜紫外-可见光透过率的影响 | 第33-34页 |
| ·溅射功率对薄膜紫外-可见光透过率的影响 | 第34-36页 |
| ·工作气压对薄膜紫外-可见光透过率的影响 | 第36-38页 |
| ·ZnO：Al_2O_3薄膜试样的XRD分析 | 第38-39页 |
| ·ZnO：Al_2O_3薄膜试样电学性能分析 | 第39-41页 |
| ·ZnO：Al_2O_3薄膜试样的微观形貌分析 | 第41-42页 |
| ·ZnO：Al_2O_3薄膜的组分分析 | 第42页 |
| ·ZnO：Al_2O_3薄膜的光学带隙 | 第42-44页 |
| ·ZnO：Al_2O_3薄膜光电性能比对 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 ZnO：Ga_2O_3(GZO)薄膜的研究 | 第47-59页 |
| ·ZnO：Ga_2O_3(GZO)靶材掺杂量的确定 | 第47-48页 |
| ·GZO薄膜的晶体与结构的表征 | 第48-50页 |
| ·不同工艺参数对GZO薄膜电学性能的影响 | 第50-52页 |
| ·沉积温度对GZO薄膜导电性能的影响 | 第50-51页 |
| ·沉积功率对GZO薄膜电学性能的影响 | 第51-52页 |
| ·不同工艺条件对薄膜透光率的影响 | 第52-55页 |
| ·衬底温度对薄膜光透过率的影响 | 第52-54页 |
| ·沉积功率对薄膜光透过率的影响 | 第54-55页 |
| ·GZO薄膜形貌和光学带隙分析 | 第55-57页 |
| ·GZO薄膜光电性能比对 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 ZnO：B_2O_3(BZO)薄膜的性能 | 第59-67页 |
| ·BZO靶材中B掺杂量的研究 | 第59-60页 |
| ·BZO的XRD分析 | 第60-61页 |
| ·BZO薄膜可见光透过率的分析 | 第61-63页 |
| ·ZnO：B_2O_3薄膜的导电性能 | 第63-64页 |
| ·ZnO：B_2O_3薄膜的显微分析 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第6章 AZO、GZO和BZO的比较 | 第67-68页 |
| 第7章 结论 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 硏究生期间发表的论文 | 第75页 |
