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高电位梯度片式/厚膜ZnO压敏电阻的研制

摘要第1-9页
ABSTRACT第9-15页
第一章 绪论第15-28页
   ·引言第15页
   ·ZnO压敏电阻第15-24页
     ·电学特性第16-17页
     ·主要电学性能参数第17-18页
     ·微观结构第18-20页
     ·导电机理第20-21页
     ·制备工艺第21-23页
     ·发展方向第23-24页
   ·高电位梯度ZnO压敏电阻第24-25页
     ·研究背景第25页
     ·研究现状第25页
   ·本论文的选题和主要研究内容第25-27页
     ·高电位梯度片式ZnO压敏电阻的研制第26页
     ·高电位梯度厚膜ZnO压敏电阻的研制第26页
     ·复合电流模型的引入第26-27页
   ·本论文的工艺路线第27页
   ·本论文的课题来源第27-28页
第二章 高电位梯度ZnO压敏电阻的制备工艺第28-46页
   ·引言第28页
   ·高电位梯度片式ZnO压敏电阻的制备工艺第28-36页
     ·高能湿磨第28-32页
     ·干压成型第32-34页
     ·烧结成瓷第34-36页
     ·制作电极第36页
   ·高电位梯度厚膜ZnO压敏电阻的制备工艺第36-41页
     ·高能湿磨第38页
     ·浆料配制第38页
     ·丝网印刷第38-40页
     ·烧结成瓷第40-41页
     ·电极引线第41页
   ·高电位梯度ZnO压敏电阻的表征手段第41-46页
     ·电学性能表征第42页
     ·物相表征第42-43页
     ·微观形貌表征第43页
     ·应力表征第43页
     ·介电性能表征第43页
     ·高压稳压性能测试第43-45页
     ·大电流冲击测试第45-46页
第三章 高电位梯度片式ZnO压敏电阻的性能表征第46-70页
   ·引言第46页
   ·Y_2O_3掺杂对片式试样E_(1mA),I_L和α的影响第46-48页
   ·Y_2O_3掺杂对片式试样高压稳压性能的影响第48-50页
   ·ZnO压敏电阻中最佳Y_2O_3掺杂含量的理论计算第50-51页
   ·烧结温度对片式试样E_(1mA),I_L和α的影响第51-53页
   ·不同工艺条件下片式试样的物相结构第53-55页
   ·不同工艺条件下片式试样的微观形貌第55-58页
   ·不同工艺条件下片式试样的微观电学性能参数比较第58-59页
   ·不同工艺条件下片式试样的直流老化性能比较第59-60页
   ·大电流冲击下片式试样的电学性能第60-63页
   ·多元稀土掺杂实验第63-67页
   ·本章小结第67-70页
第四章 高电位梯度厚膜ZnO压敏电阻的性能表征第70-105页
   ·引言第70-71页
   ·Y_2O_3掺杂对厚膜试样E_(1mA),I_L和α的影响第71-73页
   ·不同Y_2O_3含量下厚膜试样的微观形貌第73-74页
   ·不同Y_2O_3含量下厚膜试样的晶格畸变和内应力分析第74-77页
   ·烧结温度对厚膜试样电学性能的影响第77-80页
   ·不同烧结温度下厚膜试样的物相结构第80-81页
   ·不同烧结温度下厚膜试样的微观形貌第81-82页
   ·烧结温度对厚膜试样介电性能的影响第82-85页
   ·烧结工艺的辅助性实验第85-91页
     ·烧结温度对掺杂Er_2O_3厚膜试样电学性能的影响第85-89页
     ·烧结时间对掺杂Er_2O_3厚膜试样电学性能的影响第89-91页
   ·厚膜试样的高压稳压性能测试第91-94页
   ·真空反复退火对厚膜试样的影响第94-98页
   ·厚膜ZnO压敏电阻的单晶界导电模型第98-102页
   ·本章小结第102-105页
第五章 高电位梯度ZnO压敏电阻的理论模型第105-112页
   ·引言第105页
   ·ZnO压敏电阻预击穿区的导电理论第105-108页
   ·高电位梯度ZnO压敏电阻预击穿区的理论分析第108-110页
   ·高电位梯度片式ZnO压敏电阻预击穿区的复合电流效应第110-112页
第六章 结论第112-118页
   ·高电位梯度片式ZnO电阻的主要结论第112-114页
   ·高电位梯度厚膜ZnO电阻的主要结论第114-116页
   ·本论文的主要创新点第116-117页
   ·未来研究的发展方向第117-118页
附录第118-119页
参考文献第119-133页
致谢第133-134页

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